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光电二极管及其制作
有权
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申请号:200880013595.7 申请日:2008-03-28
摘要:一种光电二极管包括形成在半导体衬底(402)上的阳极(1202,1302,1402)和阴极(1306,1406)。垂直电极(702,1314,1414)与光电二极管的掩埋部件(502,1312,1412)操作性电通信。在一种实施方式中,该光电二极管是硅光电倍增器的雪崩光电二极管。衬底还可以包括集成CMOS读出电路(1102)。
申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: T·弗拉克
主分类号: H01L31/103(2006.01)I
分类号: H01L31/103(2006.01)I H01L31/0224(2006.01)I H01L31/0288(2006.01)I H01L27/144(2006.01)I H01L31/107(2006.01)I
  • 法律状态
2012-01-11  授权
2010-06-16  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/103申请日:20080328
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种光电二极管,包括: 阳极(1202,1302,1402); 阴极(1306,1406); 掩埋部件(502,1312,1412); 与所述掩埋部件操作性电通信的垂直电极(702,1314,1414)。
公开号  101669218
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  龚海军 刘红
颁证日  
优先权  2007.4.24 US 60/913,589
国际申请  2008-03-28 PCT/IB2008/051173
国际公布  2008-10-30 WO2008/129433 英
进入国家日期  2009.10.26