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光电池及用于该光电池的多孔质半导体膜形成用涂料
有权
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申请号:200880013570.7 申请日:2008-04-15
摘要:本发明的目的在于提供电子的生成能力良好的同时电子的复合被抑制的具有高光电转换效率的光电池及其制造方法,光电池中,多孔质金属氧化物半导体膜包含由氧化钛形成的基体粒子和被覆该基体粒子表面的氧化钛微粒层构成的氧化钛粒子。
申请人: 日挥触媒化成株式会社
地址: 日本神奈川县
发明(设计)人: 水野隆喜 小柳嗣雄 田中敦
主分类号: H01M14/00(2006.01)I
分类号: H01M14/00(2006.01)I C09D11/02(2006.01)I C09D7/12(2006.01)I H01L31/04(2006.01)I
  • 法律状态
2013-08-14  授权
2010-05-05  实质审查的生效IPC(主分类):H01M 14/00申请日:20080415
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种光电池,所述光电池是表面具有电极层(1)且所述电极层(1) 表面形成吸附有光敏化材料的多孔质金属氧化物半导体膜(1)而成的基板 (1)与表面具有电极层(2)的基板(2)以所述电极层(1)及电极层(2)相向的 方式配置,在多孔质金属氧化物半导体膜(1)和电极层(2)之间设置电解质 层而成的光电池,其特征在于, 多孔质金属氧化物半导体膜(1)包含由基体粒子和氧化钛微粒层构成 的氧化钛粒子,所述基体粒子由氧化钛形成,所述氧化钛微粒层被覆所述 基体粒子表面。
公开号  101669249
公开日  2010-03-10
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司
代理人  范征 胡烨
颁证日  
优先权  2007.4.26 JP 116735/2007
国际申请  2008-04-15 PCT/JP2008/057328
国际公布  2008-11-13 WO2008/136261 日
进入国家日期  2009.10.26