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连接端子、使用了连接端子的半导体封装件及半导体封装件的制造方法
有权
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申请号:200880013501.6 申请日:2008-04-23
摘要:本发明改善具有置换镀金膜的连接端子的连接可靠性。一种连接端子,具有:导体层;非电解镀镍膜;第一镀钯膜,其是纯度为99质量%以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜;第二镀钯膜,其是纯度为90质量%以上且小于99质量%的非电解镀钯膜;置换镀金膜,其中,非电解镀镍膜、第一镀钯膜、第二镀钯膜及置换镀金膜依次层叠在导体层的一面侧,置换镀金膜位于与导体层相反侧的最表层。
申请人: 日立化成工业株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 江尻芳则 畠山修一 有家茂晴 长谷川清
主分类号: C23C18/52(2006.01)I
分类号: C23C18/52(2006.01)I H01L23/12(2006.01)I
  • 法律状态
2011-03-09  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 18/52申请日:20080423
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种连接端子,其具有: 导体层; 非电解镀镍膜; 第一镀钯膜,其是纯度为99质量%以上的置换镀钯膜或非电解镀钯 膜; 第二镀钯膜,其是纯度为90质量%以上且小于99质量%的非电解镀 钯膜;和 置换镀金膜, 其中,所述非电解镀镍膜、所述第一镀钯膜、所述第二镀钯膜及所述 置换镀金膜依次层叠在所述导体层的一面侧,所述置换镀金膜位于与所述 导体层相反侧的最表层。
公开号  101668880
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  朱丹
颁证日  
优先权  2007.4.27 JP 118732/2007;2008.4.3 JP 097381/2008
国际申请  2008-04-23 PCT/JP2008/057859
国际公布  2008-11-13 WO2008/136327 日
进入国家日期  2009.10.23