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薄膜场效应晶体管及其制备方法
有权
权利转移
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申请号:200880013494.X 申请日:2008-04-25
摘要:本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言,本发明涉及一种包括作为源极和漏极的含有SI、MO和W中一种以上元素的氧化锌(ZNO系列)电极的薄膜场效应晶体管及其制备方法。
申请人: LG化学株式会社
地址: 韩国首尔
发明(设计)人: 李政炯
主分类号: H01L29/786(2006.01)I
分类号: H01L29/786(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-25  专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/786登记生效日:20160504变更事项:专利权人变更前权利人:LG化学株式会社变更后权利人:乐金显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国首尔
2013-10-09  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20080425
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制备薄膜场效应晶体管的方法,该方法包括如下步骤: 1)在基板上形成栅极; 2)在所述基板和栅极上形成绝缘层; 3)在所述绝缘层上形成半导体层;和 4)使用含有Si、Mo和W中的一种以上元素的氧化锌电极材料形成源极 和漏极,从而与所述半导体层连接。
公开号  101669210
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京金信立方知识产权代理有限公司
代理人  黄丽娟 朱梅
颁证日  
优先权  2007.4.25 KR 10-2007-0040313
国际申请  2008-04-25 PCT/KR2008/002377
国际公布  2008-11-06 WO2008/133457 英
进入国家日期  2009.10.26