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微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统
有权
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申请号:200880013453.0 申请日:2008-04-25
摘要:一种在微光刻曝光装置(10)中照明掩模的照明系统,其具有光轴(60;460)以及光瞳表面(70;470)。该系统包括诸如镜(MIJ)的反射或透明光束偏转元件的光束偏转阵列(46;446)。其中每一偏转元件(MIJ)适配成将打入光线以响应于控制信号可变的偏转角偏转。光束偏转元件(MIJ)布置在第一平面(40;440)中。该系统还包括具有多个微透镜和/或衍射结构的光学光栅元件(34;434)。布置在第一平面(40;440)中的光束偏转元件(MIJ)和布置在第二平面(34;434)中的光学光栅元件(34;434)共同产生两维远场强度分布(C)。光学成像系统(40,41;440,441)光学上共轭第一平面(40;440)到第二平面(34;434)。
申请人: 卡尔蔡司SMT股份公司
地址: 德国上科亨
发明(设计)人: 马库斯·德冈瑟 保罗·格劳普纳 于尔根·费希尔
主分类号: G03F7/20(2006.01)I
分类号: G03F7/20(2006.01)I
  • 法律状态
2012-03-21  授权
2010-05-05  实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20080425
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种微光刻曝光装置中照明掩模(16)的照明系统,包括: a)光轴(60;460), b)光瞳表面(70;470), c)反射或透明光束偏转元件(Mij)的光束偏转阵列(46;446),其中 -每一个偏转元件(Mij)适配,以将打入光线以响应于控制信号而可变 的偏转角偏转,并且其中 -偏转元件(Mij)至少大体上布置在第一平面(40;440)中, d)光学光栅元件(34;434),其 -包括多个微透镜和/或衍射结构,并且 -被布置在第二平面(34;434)中, 其中,光束偏转阵列(46;446)以及光学光栅元件(34;434)共同产 生两维远场强度分布(C),其特征在于 使得第一平面(40;440)与第二平面(34;434)光学共轭的光学成像 系统(40,41;440,441)。
公开号  101669071
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  邱军
颁证日  
优先权  2007.4.25 US 60/913,962;2007.4.25 US 60/913,956
国际申请  2008-04-25 PCT/EP2008/003369
国际公布  2008-11-06 WO2008/131928 英
进入国家日期  2009.10.26