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薄膜场效应晶体管及其制备方法
有权
权利转移
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申请号:200880013431.4 申请日:2008-04-25
摘要:本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言,本发明涉及一种包含含有SI的氧化锌材料作为半导体层的沟槽材料的薄膜场效应晶体管及其制备方法。
申请人: LG化学株式会社
地址: 韩国首尔
发明(设计)人: 李政炯
主分类号: H01L29/786(2006.01)I
分类号: H01L29/786(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-25  专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/786登记生效日:20160504变更事项:专利权人变更前权利人:LG化学株式会社变更后权利人:乐金显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国首尔
2011-11-09  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20080425
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制备薄膜场效应晶体管的方法,该方法包括如下步骤: A)在基板上形成栅极; B)在所述基板和栅极上形成绝缘层; C)通过使用含有Si的氧化锌材料作为沟槽材料而在所述绝缘层上形成 半导体层;和 D)形成源极和漏极从而与半导体层连接。
公开号  101669209
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京金信立方知识产权代理有限公司
代理人  黄丽娟 朱梅
颁证日  
优先权  2007.4.25 KR 10-2007-0040328
国际申请  2008-04-25 PCT/KR2008/002376
国际公布  2008-11-06 WO2008/133456 英
进入国家日期  2009.10.26