搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

电子器件的制备方法
无权-未缴年费

申请号:200880013309.7 申请日:2008-03-28
摘要:本发明涉及使用保护层制备电子器件的方法,和通过这种方法制备的改进的电子器件、尤其是有机场效应晶体管(OFET)。
申请人: 默克专利股份有限公司
地址: 德国达姆施塔特
发明(设计)人: D·C·米勒 T·库尔 S·D·奥吉尔
主分类号: H01L51/10(2006.01)I
分类号: H01L51/10(2006.01)I
  • 法律状态
2017-05-10  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/10申请日:20080328授权公告日:20130313终止日期:20160328
2013-03-13  授权
2010-06-16  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 51/10申请日:20080328
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.制备包括介电层和至少一个另外功能层的电子器件的方法,其 包括以下步骤:将一个或多个附加层或组件施加在所述介电层或功能层 之上,其特征在于在施加所述附加层或组件之前将保护层施加在所述介 电层之上或在所述功能层之上。
公开号  101669225
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  陈宙
颁证日  
优先权  2007.4.25 EP 07008369.6
国际申请  2008-03-28 PCT/EP2008/002484
国际公布  2008-11-06 WO2008/131836 英
进入国家日期  2009.10.23