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具有包含碳纳米管或半导体纳米线的复合隔膜的传感器
有权
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申请号:200880012593.6 申请日:2008-02-04
摘要:一种传感器(10),优选地能够在大的操作范围上进行高分辨率感测,该传感器包括复合隔膜(12),所述复合隔膜(12)包含纳米管或纳米线(14)。所述纳米管或纳米线(14)优选地形成嵌入诸如高介电或绝缘薄膜等绝缘材料(16,18)中的衬垫。纳米管或纳米线(14)可以为隔膜(10)提供大于大约1000GPA的杨氏模量以及大于大约100GPA的拉伸强度。可以通过电阻、电压、电流或电容的变化来测量纳米管或纳米线(14)中的应变。
申请人: 罗斯蒙德公司
地址: 美国明尼苏达州
发明(设计)人: 斯瓦潘·卡克拉博堤
主分类号: G01L7/00(2006.01)I
分类号: G01L7/00(2006.01)I
  • 法律状态
2012-03-28  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):G01L 7/00申请日:20080204
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种传感器,包括: 复合结构,由嵌入绝缘材料中的纳米管或纳米线所组成的衬垫形 成;以及 电极,用于响应于复合结构响应于物理参数而偏转来获得传感器 信号,所述电极当中的至少一个连接至所述衬垫。
公开号  101669018
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  朱进桂
颁证日  
优先权  2007.3.21 US 11/726,128
国际申请  2008-02-04 PCT/US2008/001472
国际公布  2008-11-27 WO2008/143720 英
进入国家日期  2009.10.19