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用于制造发光二极管芯片的方法和发光二极管芯片
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申请号:200880010119.X 申请日:2008-03-06
摘要:本发明涉及一种用于制造至少一个发光二极管芯片(1)的方法,该发光二极管芯片设置有具有至少一种荧光材料(22)的发光转换材料(2)。提供了基本体(4),该基本体具有发光二极管芯片(1)的层序列,该层序列适于发射电磁辐射。在基本体(41)的至少一个主面上施加有盖层(21)。根据一个所提出的实施形式,盖层(21)可光致结构化。至少一个凹处(31,32)被引入该盖层(21)中。至少一种荧光材料(22)被施加到盖层(21)上,并且构建或者增强荧光材料(22)的至少一部分和盖层(21)之间的附着。此外,提出了一种借助该方法制造的发光二极管芯片(1)。
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
地址: 德国雷根斯堡
发明(设计)人: 托尼·阿尔布雷希特 赫尔穆特·菲舍尔 伊雷妮·魏宁格尔
主分类号: H01L33/00(2006.01)I
分类号: H01L33/00(2006.01)I
  • 法律状态
2012-06-20  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20080306
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种用于制造至少一个发光二极管芯片的方法,该发光二极管芯 片设置有具有至少一种荧光材料的发光转换材料,该方法包括以下步骤: -提供基本体,该基本体具有发光二极管芯片的层序列,该层序列适 于发射电磁辐射; -将能够光致结构化的盖层施加到基本体的至少一个主面上; -借助光致结构化将至少一个凹处引入盖层中, -将至少一种荧光材料施加到盖层上;以及 -构建或者增强荧光材料的至少一部分和盖层之间的附着。
公开号  101669220
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司
代理人  王萍 陈炜
颁证日  
优先权  2007.3.26 DE 102007014374.7;2007.4.20 DE 102007018837.6
国际申请  2008-03-06 PCT/DE2008/000403
国际公布  2008-10-02 WO2008/116439 德
进入国家日期  2009.09.27