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含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法
无权-未缴年费

申请号:200880009829.0 申请日:2008-02-29
摘要:本发明提供在挠性基材上形成阻挡层的方法和工艺。连续卷到卷法包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。该工艺包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。本发明进一步涉及包含基于结构单元SIC:H的阻挡层的涂布挠性基材。该阻挡层具有高密度和低孔隙率。此外,该阻挡层显示出10-2-10-3G.M-2D-1的低水蒸气透过率(WVTR)并且适合很低渗透性的应用。
申请人: 陶氏康宁公司
地址: 美国密执安
发明(设计)人: L·M·赞伯韦 V·A·沙玛米安 W·K·韦德纳 M·J·罗伯达 S·A·斯诺 G·A·塞尔尼
主分类号: C23C16/54(2006.01)I
分类号: C23C16/54(2006.01)I C23C16/32(2006.01)I C23C16/30(2006.01)I
  • 法律状态
2014-04-16  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C23C 16/54申请日:20080229授权公告日:20120509终止日期:20130229
2012-05-09  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/54申请日:20080229
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种方法,其包括: 使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基 材;和 通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前 体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。
公开号  101668879
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  陈宙
颁证日  
优先权  2007.3.28 US 60/908,498
国际申请  2008-02-29 PCT/US2008/055436
国际公布  2008-10-09 WO2008/121478 英
进入国家日期  2009.09.25