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具有垂直存取装置的存储器
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申请号:200880008505.5 申请日:2008-01-22
摘要:本发明揭示具有垂直存取装置的半导体存储器装置。在一些实施例中,一种形成所述装置的方法包含在半导体衬底(12)中提供凹座(50),其包含一对相对的侧壁(73、75)和在所述相对的侧壁之间延伸的底面(48)。可在所述凹座的所述侧壁和所述底面上沉积介电层(62)。可在所述介电层上形成导电薄膜(64),且对其进行处理以选择性地从所述凹座的所述底面移除所述薄膜,并从所述相对的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分。
申请人: 美光科技公司
地址: 美国爱达荷州
发明(设计)人: 沃纳·云林
主分类号: H01L21/8242(2006.01)I
分类号: H01L21/8242(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2011-12-21  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8242申请日:20080122
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种形成用于存储器装置的存储器装置结构的方法,其包括: 在衬底中提供凹座,所述凹座具有一对相对的侧壁和在所述相对的侧壁之间延伸 的底面; 向所述凹座的所述侧壁和所述底面沉积介电层; 在所述介电层上形成导电薄膜;及 对所述导电薄膜进行处理以从所述凹座的所述底面移除所述薄膜并从所述相对 的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分。
公开号  101669200
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人  王允方
颁证日  
优先权  2007.1.22 US 11/656,125
国际申请  2008-01-22 PCT/US2008/000785
国际公布  2008-07-31 WO2008/091579 英
进入国家日期  2009.09.15