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包含具有工艺容限配置的基板二极管的SOI器件以及形成该SOI器件的方法
无权-驳回

申请号:200880005925.8 申请日:2008-01-31
摘要:根据经过适当设计之制造流程而形成用于SOI器件(200、300)中之衬底二极管,其中可在实质上不会影响到二极管特性之情形下实施晶体管效能增强机制。在一面向中,可在形成了用来界定漏极及源极区(237、337)的对应的侧壁间隔件结构(236、336)之后,形成衬底二极管的各别开孔(211A、211B、311A、311B),因而得到了二极管区中之掺杂剂的显著横向分布,因而可根据晶体管器件(230A、230B、330A、330B)中之间隔件(236、336)的去除,而在后续的硅化工艺序列期间提供充分的工艺范围。在进一步之面向中,在额外的或替代的方式下,可在实质上不会影响到各别晶体管器件(230A、230B、330A、330B)的配置之情形下形成偏移间隔件(360S)。
申请人: 先进微装置公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: A·格林 J·霍尼舒尔 A·魏
主分类号: H01L21/84(2006.01)I
分类号: H01L21/84(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I
  • 法律状态
2012-03-21  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/84公开日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/84申请日:20080131
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种方法,包括下列步骤: 在SOI衬底(201、301)的第一器件区(210、310)中形成第一开孔 (211B、311B)及第二开孔(211A、311A),并覆盖第二器件区(220、320), 该第一(211B、311B)及第二开孔(211A、311A)延伸通过埋入绝缘层(204、 304)到结晶衬底材料(202、302),该第二器件区(220、320)具有在其中 形成的第一晶体管(230、330B)及第二晶体管(330A),每一晶体管包括 延伸区(234)并包含在形成该第一及第二开孔(211A、211B、311A、311B) 之前,先在该第一及第二晶体管(230、330A、330B)的栅电极(231)的侧 壁上形成的侧壁间隔件(236、336); 以共同的第一漏极/源极注入工艺(209p)形成该第一晶体管(230、 330B)中的漏极及源极区(237、337)、以及该结晶衬底材料(202、302) 中被该第一开孔(211B、311B)露出的第一掺杂区(217B、317B); 以共同的第二漏极/源极注入工艺(209n)形成该第二晶体管(33A) 中的漏极及源极区(337)、以及该结晶衬底材料(202、302)中被该第二开 孔(211A、311A)露出的第二掺杂区(217A、317A);以及 在该第一及第二晶体管(230、330A、330B)以及该第一及第二掺杂 区(217A、317A、217B、317B)中形成金属硅化物(238、218、318)。
公开号  101669201
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京戈程知识产权代理有限公司
代理人  程伟
颁证日  
优先权  2007.1.31 DE 102007004859.0;2007.9.27 US 11/862,296
国际申请  2008-01-31 PCT/US2008/001310
国际公布  2008-08-07 WO2008/094666 英
进入国家日期  2009.08.21