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多指栅碳纳米管场效应晶体管
无权-未缴年费

申请号:200880003634.5 申请日:2008-01-29
摘要:提供一种多指栅(MULTIFINGER)碳纳米管场效应晶体管(CNT FET),其中多个纳米顶栅FET沿着单一碳纳米管、对齐的纳米管的阵列、或纳米管的随机排列的长度被合并在一个指状几何体上。每个单独的FET被设置以便在单一碳纳米管上的栅极指状电极和漏极指状电极之间无几何重叠的结构,从而最小化栅极指状电极和漏极指状电极之间的米勒电容(CGD)。低K电介质可以用来分隔多指栅CNT FET中的源极电极和栅极电极,以进一步最小化源极电极和栅极电极之间的米勒电容。
申请人: 射频纳米公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: Z·于 P·J·伯尔克 S·麦基南 D·王
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2015-03-25  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20080129授权公告日:20130102终止日期:20140129
2013-01-02  授权
2010-04-14  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20080129
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种多指栅纳米管场效应晶体管,其包括: 具有长度的单一纳米管,其形成于基底上; 多个场效应晶体管装置,其形成于所述单一纳米管上并且并联电 连接。
公开号  101669196
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人  赵蓉民
颁证日  
优先权  2007.1.30 US 60/887,306;2008.1.28 US 12/021,042
国际申请  2008-01-29 PCT/US2008/052281
国际公布  2008-09-12 WO2008/109204 英
进入国家日期  2009.07.30