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基体两侧不同取向的类水滑石薄膜及其原位晶化制备方法
无权-未缴年费

申请号:200810222627.6 申请日:2008-09-19
摘要:一种基体两侧具有不同晶体取向的类水滑石薄膜及其原位晶化制备方法,属于无机功能薄膜的制备技术领域。双取向类水滑石薄膜是,在基体的两侧分别生长类水滑石薄膜,该类水滑石薄膜是由层间阴离子与带正电荷的层板有序组装而形成的化合物,膜层的化学通式是:[M2+1-XM3+X(OH)2]X+·(CO32-)X/2·MH2O。制备方法是,将选定的基体一侧经清洁处理,另一侧则涂覆一层富含羟基的聚合物使其富含羟基,再采用原位晶化法在其表面生长类水滑石薄膜,由于处理方法不同则使得基体两侧的类水滑石生长方向不同,一侧是沿平行于基体方向生长而另一侧则沿垂直于基体方向生长。优点在于,为设计多功能的水滑石薄膜开拓了更广阔的空间。
申请人: 北京化工大学
地址: 100029北京市朝阳区北三环东路15号
发明(设计)人: 张法智 郭孝孝 徐赛龙 段雪
主分类号: C01G1/00(2006.01)I
分类号: C01G1/00(2006.01)I
  • 法律状态
2012-11-21  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C01G 1/00申请日:20080919授权公告日:20110119终止日期:20110919
2011-01-19  授权
2009-04-15  实质审查的生效
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种基体两侧具有不同晶体取向的类水滑石薄膜,其特征在于, 双取向类水滑石薄膜是,在基体的两侧分别生长类水滑石薄膜,该类水滑石薄膜是由 层间阴离子与带正电荷的层板有序组装而形成的化合物,膜层的化学通式是: [M2+ 1-xM3+ x(OH)2]x+·(CO3 2-)x/2·mH2O, 其中,M2+为二价金属离子Mg2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Mn2+、或Zn2+中的任 何一种或两种;M3+为三价金属离子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Ga3+、Mn3+或Co3+中的 任何一种;M2+/M3+的摩尔比为1.6~4.5:1;x、m的取值范围分别是:0.2≤x≤0.4, 0≤m≤2;其结构类似于水镁石Mg(OH)2,由MO6八面体共用棱边而形成主体层板; 该双取向类水滑石薄膜是在基体的一侧类水滑石薄膜的c轴平行于基体,而另一 侧类水滑石薄膜的c轴垂直于基体。
公开号  101367540
公开日  2009-02-18
专利代理机构  北京华谊知识产权代理有限公司
代理人  刘月娥
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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