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形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置
无权-视为撤回

申请号:200810214850.6 申请日:2008-09-03
摘要:本发明涉及形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置。为了能够在A位掺杂至少5摩尔%的给体离子,在满足式(1)和(2),或式(3)和(4)的条件下,通过溅射技术在面对具有预定组成的靶(T)的基板(20,B)上形成含有式(P):(PB1-X+ΔMX)(ZRYTI1-Y)OZ的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40),式(P)中M表示选自BI和镧系元素中的至少一种元素,0.05≤X≤0.4,并且0
申请人: 富士胶片株式会社
地址: 日本国东京都
发明(设计)人: 新川高见 藤井隆满
主分类号: C23C14/08(2006.01)I
分类号: C23C14/08(2006.01)I C23C14/34(2006.01)I B41J2/14(2006.01)I H01L41/22(2006.01)I H01L41/09(2006.01)I H01L41/18(2006.01)I H01L21/316(2006.01)I
  • 法律状态
2011-09-21  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C23C 14/08公开日:20100310
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/08申请日:20080903
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种用于在基板上形成铁电体膜的方法,所述铁电体膜含有由下面 显示的式(P)表示的钙钛矿型氧化物, 其中设置靶和所述基板,使得所述靶和所述基板可以保持相互面对, 其中所述的靶具有根据要形成的铁电体膜的膜组成的组成,并且 在满足下面显示的式(1)和(2)的成膜条件下通过溅射技术形成所述铁 电体膜: (Pb1-x+δMx)(ZryTi1-y)Oz (P) 其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素, x表示满足0.05≤x≤0.4的条件的数值,并且 y表示满足0<y≤0.7的条件的数值, 标准组成是使得δ=0和z=3的组成,条件是在能够获得所述钙钛矿结 构的范围内,δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值, 400≤Ts(℃)≤500 (1) 30≤D(mm)≤80 (2), 其中Ts(℃)表示成膜温度,并且D(mm)表示所述基板和所述靶之间的间隔 距离。
公开号  101665908
公开日  2010-03-10
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  陈平
颁证日  
优先权  2007.9.5 JP 2007-229790
国际申请  
国际公布  
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