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定量化薄层地层的电阻率和含烃饱和度的方法
无权-未缴年费

Method for quantifying resistivity and hydrocarbon saturation in thin bed formations

申请号:200810210273.3 申请日:2008-08-11
摘要:一种估算层状地下地层中烃体积的方法,包括测定地层中的垂直电阻率和水平电阻率。测定地层各层的束缚水饱和度和总孔隙度。根据各层的束缚水饱和度和总孔隙度以及各层的估算的束缚水总体积,计算地层的水平电阻率值和垂直电阻率值。将这些估算值与测定的水平电阻率和垂直电阻率进行比较。调整各层中所估算的束缚水饱和度并反复估算该值,直到估算值与测定的垂直电阻率和水平电阻率值之间的差值降到所选的阈值以下。由各层经调整的束缚水饱和度估算烃体积。
Abstract: The estimating method involves estimating values of horizontal and vertical resistivity in the formation based on the bound water saturation and the total porosity for each layer and on irreducible bulk volume of water in each layer. The estimated values are compared to determined horizontal and vertical resistivity. The irreducible water saturation in each layer is adjusted while repeating estimation until differences between estimated values and determined resistivity fall below selected threshold. The hydrocarbon volume is estimated from adjusted irreducible water saturation for each layer.
申请人: 普拉德研究及开发股份有限公司
Applicant: SCHLUMBERGER CA LTD[VG]
地址: 英属维尔京群岛多多********(隐藏)
发明(设计)人: 戴维·F·艾伦 格奥吉·博达科夫
Inventor: GEORGIY BORDAKOV[VG]
主分类号: E21B49/00(2006.01)I
分类号: E21B49/00(2006.01)I
  • 法律状态
2018-08-28  未缴年费专利权终止IPC(主分类):E21B 49/00申请日:20080811授权公告日:20131106终止日期:20170811
2013-11-06  授权
2010-09-22  实质审查的生效IPC(主分类):E21B 49/00申请日:20080811
2009-02-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种估算层状地下地层中烃体积的方法,包括: 测定地层中的垂直电阻率和水平电阻率; 测定地层各层的束缚水饱和度和总孔隙度; 根据各层的束缚水饱和度和总孔隙度以及各层中估算的束缚水总体积, 估算地层的水平电阻率值和垂直电阻率值; 将这些估算值和测定的水平电阻率和垂直电阻率进行比较; 调整各层中所估算的束缚水饱和度并反复估算该值,直到估算值与测定 的垂直电阻率和水平电阻率之间的差值降到所选的阈值以下;及 由各层经调整的束缚水饱和度估算烃体积。
公开号  101363315A
公开日  2009-02-11
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  封新琴
颁证日  
优先权  2007.8.9 US 11/836,269
 
国别 优先权号 优先权日 类型
US  11/836,269  20070809 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1172257A  19980204     
SEA  CN1580488A  20050216     
SEA  CN2927052Y  20070725     
SEA  CN201083688Y  20080709     
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数