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亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法
无权-未缴年费
许可备案

申请号:200810197040.4 申请日:2008-09-19
摘要:本发明涉及亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法,其不同之处在于以SI-MG前驱体与叠氮钠进行加热密封反应,控制参与反应的SI∶MG∶NAN3=1∶1-2.75∶1-3.25,加热温度为450-600℃,反应时间为4-12小时,产物通过洗涤和干燥,即可得到颗粒状无规则的亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末。本发明与现有技术相比具有以下优点:1)氮化硅镁的合成路线与亚微米的多晶体生长同时进行,实现了温和的反应条件,制备过程也比较简单,特别是制备温度有很大程度的降低,从而能耗也大大减少;2)产物MGSIN2陶瓷粉形貌不规则、粒度达到亚微米级别、分布比较均匀,结晶程度好,纯度高,尺寸均匀。
申请人: 武汉工程大学
地址: 430074湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
发明(设计)人: 谷云乐 王吉林
主分类号: C04B35/58(2006.01)I
分类号: C04B35/58(2006.01)I C04B35/626(2006.01)I
  • 法律状态
2015-11-11  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C04B 35/58申请日:20080919授权公告日:20110323终止日期:20140919
2014-11-05  专利实施许可合同备案的注销
IPC(主分类):C04B 35/58
合同备案号:2012420000184
让与人:武汉工程大学
受让人:丹江口弘源碳化硅有限责任公司
解除日:20140903
2013-02-13  专利实施许可合同备案的生效IPC(主分类):C04B 35/58合同备案号:2012420000184让与人:武汉工程大学受让人:丹江口弘源碳化硅有限责任公司发明名称:亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法申请日:20080919申请公布日:20090218授权公告日:20110323许可种类:独占许可备案日期:20121221
2011-03-23  授权
2009-04-15  实质审查的生效
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法,其特征在于以Si—Mg前驱体与 叠氮钠进行加热密封反应,控制参与反应的Si:Mg:NaN3=1:1-2.75:1-3.25,以上为摩尔 比,加热温度为450—600℃,反应时间为4—12小时,产物通过洗涤和干燥,即可得到颗粒 状无规则的亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末。
公开号  101367653
公开日  2009-02-18
专利代理机构  湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人  崔友明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期