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一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器
无权-未缴年费

申请号:200810150770.9 申请日:2008-09-01
摘要:本发明是一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器。以锌和硒为原料,以碘作为气相反应促进剂,在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于ZN和SE单质混和,生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成。本发明采用的技术方案可以生长直径为12~20MM的硒化锌单晶体的,所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小,具有成本低、工艺简单的特点,还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
申请人: 西北工业大学
地址: 710072陕西省西安市友谊西路127号
发明(设计)人: 李焕勇 介万奇
主分类号: C30B29/48(2006.01)I
分类号: C30B29/48(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-19  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/48申请日:20080901授权公告日:20120829终止日期:20150901
2012-08-29  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/48申请日:20080901
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种硒化锌单晶体生长方法,采用纯度为99.999%的单质锌和纯度为99.999%的单 质硒,其特征在于,在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长过程,具体步骤如下, 第一步、安瓿的清洁过程包括了综合清洗、氢氧焰强力火烤和退火,具体是: a.综合清洗,用自来水冲洗石英安瓿内部;用丙酮浸泡安瓿内壁10~12小时;用 王水浸泡10~12小时;用超纯去离子水反复冲洗3~5次; b.强力火烤,将清洗好的安瓿置于真空烘箱中,温度控制在120~130℃,时间3~ 5小时,除去安瓿中的水蒸气;从安瓿底部到开口方向顺次用流量比为H2∶O2=3∶1 的氢氧焰火烤5分钟,使安瓿内部的难以清洗的杂质在高温下蒸发去除; c.退火,氢氧焰火烤安瓿结束后,立即将安瓿在1250℃下保温20分钟进行退火, 以消除氢氧焰火烤时产生的热应力; 第二步、装料并密封安瓿:将单质硒和单质锌装入清洁后的安瓿中;装入气相反应 促进剂,并将装有碘单质的安瓿冷却至-20℃以下;抽真空除去安瓿中的空气,当 安瓿中气压降为0.5×10-3~5×10-3Pa数量级时密封安瓿; 第三步、密封安瓿生长区的热清洗:将密封的安瓿垂直或者水平放置于晶体生长炉 内;使安瓿之生长区温度高于原料区温度,生长区温度为980~1020℃,原料区温 度750℃; 第四步、晶体生长:待密封的安瓿热清洗后,将炉子温场调整为生长温场,使安 瓿生长区温度低于原料区温度;生长区温度为880~920℃,原料区温度为920~970 ℃,生长区温度梯度控制在3~5℃·cm-1;保持上述条件15天以上,即可完成硒化 锌单晶体的生长;单晶体生长完成后,按50℃·h-1的速率冷却至室温即可获得硒化 锌单晶。
公开号  101665983
公开日  2010-03-10
专利代理机构  西北工业大学专利中心
代理人  慕安荣
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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