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一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法
无权-未缴年费

申请号:200810150769.6 申请日:2008-09-01
摘要:本发明是一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法,用纯度均为99.999%以上的块状锌和块状硒为原料,在电子级石英安瓿内制备。制备过程是:去除安瓿内壁的杂质,将锌和硒按摩尔比为(1.0~1.05)∶1.0的比例装入安瓿,并装体积浓度为3~12MG·CM-3的反应促进剂;在安瓿抽真空后密封并水平静置于管式炉内,快速升温至940~1000℃,并保温后,冷却至室温,在安瓿内产生大量高纯硒化锌多晶粉体。本发明所制备的硒化锌多晶粉体材料具有99.999%以上的高纯度,组成成分ZN∶SE为1.0∶(1.0~1.03),可直接用于硒化锌单晶体生长原料,制备方法具有工艺简单,成本低、应用面宽的特点。
申请人: 西北工业大学
地址: 710072陕西省西安市友谊西路127号
发明(设计)人: 李焕勇 介万奇
主分类号: C01B19/04(2006.01)I
分类号: C01B19/04(2006.01)I C01G9/00(2006.01)I C30B29/48(2006.01)I
  • 法律状态
2015-10-28  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C01B 19/04申请日:20080901授权公告日:20120201终止日期:20140901
2012-02-01  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):C01B 19/04申请日:20080901
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法,采用纯度均为99.999%以上的高 纯块状锌和块状硒,其特征在于,用内径不超过20~30mm的管状电子级石英安瓿 制备,并将石英安瓿水平置于管式炉内,其制备过程包括以下步骤: 第一步、清洁安瓿,将石英安瓿内壁进行去除杂质,分三步进行, a.用王水浸泡安瓿10~12小时;再用自来水冲洗后用丙酮浸泡安瓿10~12小时; 用高阻超纯去离子水反复冲洗3~5次; b.将清洗好的安瓿置于真空烘箱中除去安瓿中的水蒸气,烘箱的温度为120~130 ℃,烘干时间3~5小时;然后从安瓿底部到开口方向依次用流量比为H2∶O2=3∶1的 氢氧焰火烤5分钟,使安瓿内部的难以去除的残余杂质在氢氧焰灼烤下蒸发去除; c.氢氧焰火烤安瓿结束后,立即将安瓿在1250℃下保温20分钟进行退火,以便消 除氢氧焰火烤时产生的热应力; 第二步、装料并密封安瓿,将纯度均为99.999%的块状锌和块状硒按照摩尔比为 (1.0~1.05)∶1.0的比例装入清洁后的安瓿中,进而装入体积浓度为3~12mg·cm-3 的反应促进剂;然后抽真空除去安瓿中的空气,当真空度为5×10-4~5×10-3Pa时 密封安瓿; 第三步、硒化锌多晶粉体制备,将密封的安瓿水平静置于管式炉内,然后快速升温 至940~1000℃,保温24~72小时; 第四步、降温,待保温时间结束后,按30~50℃·h-1的速率冷却至室温,在安瓿内 产生大量高纯硒化锌多晶粉体。
公开号  101665245
公开日  2010-03-10
专利代理机构  西北工业大学专利中心
代理人  慕安荣
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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