搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法
无权-视为撤回

申请号:200810145331.9 申请日:2008-08-07
摘要:提供了一种即使当光罩被倾斜时也具有高分辨率的曝光装置。该曝光装置包括:用于将形成在光罩(101)的表面上的图案投射在晶圆(130)上的光学系统;用于测定光罩(101)相对于与光学系统的光轴方向垂直的平面的倾斜角度的测定部;以及用于根据由测定部所测定的倾斜角度来调整晶圆(130)的位置的调整部。
申请人: 恩益禧电子股份有限公司
地址: 日本神奈川
发明(设计)人: 林省一郎
主分类号: G03F7/20(2006.01)I
分类号: G03F7/20(2006.01)I H01L21/027(2006.01)I
  • 法律状态
2012-05-30  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G03F 7/20公开日:20090211
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20080807
2009-02-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种曝光装置,包括: 光学系统,用于将形成在光罩的表面上的图案投射在晶圆上; 测定部,用于测定所述光罩相对于与所述光学系统的光轴方向垂 直的平面的倾斜角度;以及 晶圆载物台,用于保持所述晶圆。
公开号  101364051A
公开日  2009-02-11
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  陆锦华 黄启行
颁证日  
优先权  2007.8.8 JP 2007-206171
国际申请  
国际公布  
进入国家日期