薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置
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Thin-film transistor, thin-film transistor array substrate, display panel and optoelectronic device

申请号：200810125691.2 申请日：2008-06-20

	摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管，其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此外，介电层具有至少一第一介电区块以及至少一第二介电区块。栅极形成于基板上，介电层形成于基板上且覆盖栅极，半导体层则形成于部份介电层上。源极及漏极分别形成于半导体层的部份区域上，以使得位于第一介电区块上方的半导体层未被源极与漏极覆盖，而位于第二介电区块上方的半导体层被源极与漏极覆盖。因此，此薄膜晶体管具有良好的电性。
	Abstract： The invention provides a thin film transistor arranged on a substrate, a thin film transistor array substrate, a display panel and a photovoltaic device, wherein the thin film transistor includes a grid, a dielectric layer, a semiconductor layer, a source and a drain electrode. Besides, the dielectric layer, comprises at least a first dielectric block and at least a second dielectric block. The grid is formed on the substrate, the dielectric layer is formed on the substrate for covering the grid, and the semiconductor layer is formed on the partial dielectric layers. The source and the drain electrode are respectively formed on partial regions of the semiconductor layer, to cause the semiconductor layer above the first dielectric block not to be covered by the source and the drain, while the semiconductor layer above the second dielectric block is covered by the source and the drain electrode. Therefore, the thin film transistor has excellent electrical property.
	申请人：友达光电股份有限公司
	Applicant： AU OPTRONICS CORP
	地址：中国台湾新竹市
	发明(设计)人：李豪捷朱庆云
	Inventor： QINGYUN ZHU; HAOJIE LI
	主分类号： H01L29/786(2006.01)I
	分类号： H01L29/786(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I

法律状态

2010-09-15	授权

2008-12-31	实质审查的生效

2008-11-05	公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

其他信息

主权项

一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一栅极，形成于所述的基板上；一介电层，形成于基板上且覆盖所述的栅极，且该介电层具有至少一第一介电区块以及至少一第二介电区块；一半导体层，形成于部份所述的介电层上；以及一源极与漏极，分别且全部形成于所述的半导体层的部分区域上，以使得位于所述的第一介电区块上方的半导体层未被所述的源极与漏极覆盖，而位于所述的第二介电区块上方的半导体层被所述的源极与漏极覆盖；其中，所述的第一介电区块的介电常数大于所述的第二介电区块的介电常数；所述的第一介电区块的图案以及所述的第二介电区块的图案互补。

公开号

101299441B

公开日

2010-09-15

专利代理机构

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人

任默闻

颁证日

优先权

国别	优先权号	优先权日	类型

CN	200810125691	20080620	Y

国际申请

国际公布

进入国家日期

专利对比文献

类型	阶段	文献号	公开日期	涉及权利要求项	相关页数

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Ｘ：单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件；
Ｙ：与检索报告中其他Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。