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真空蒸镀制合金薄膜用SIO2基片清洗方法
无权-驳回

申请号:200810120429.9 申请日:2008-09-04
摘要:本发明涉及一种真空蒸镀制合金薄膜用SIO2基片清洗方法。它是(1)将基片抛光粉打磨;(2)放置于配比为:氨水∶双氧水∶去离子水为1~1.2∶2~3∶5~6的清洗液,煮沸10~20分钟,再用去离子水冲洗干净;(3)再置于容器中加入比为:盐酸∶双氧水∶去离子水为1~1.2∶2~3∶8~10的清洗液中,同样煮沸10~12分钟后用去离子水冲洗干净;(4)再放入超声波清洗机中,用去离子水为清洗介质,采用常温和控制在50~75℃超声波抛动清洗和无超声波抛动清洗3~10分钟左右;(5)放入氮气炉中烘干待用;(6)蒸镀前在真空舱内,用离子枪轰击基片的表面5~10分钟,经这样清洗的SIO2基片能使制得的FESIB薄膜均匀、稳定、牢固。
申请人: 浙江师范大学
地址: 321004浙江省金华市迎宾大道688号
发明(设计)人: 彭保进 应朝福 万旭 叶晶 刘蕴涛
主分类号: C23C14/24(2006.01)I
分类号: C23C14/24(2006.01)I C23C14/08(2006.01)I
  • 法律状态
2013-07-31  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C23C 14/24申请公布日:20100310
2011-11-02  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/24申请日:20080904
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO2基片清洗方法,其特征在于包括 下列工序和步骤: (1)将基片用稀土抛光粉打磨; (2)将基片放置于容器中加入配比为:氨水∶双氧水∶去离子水为1~ 1.2∶2~3∶5~6的清洗液,加热煮沸10~20分钟,然后用去离子水冲洗干 净; (3)再置于容器中加入配比为:盐酸∶双氧水∶去离子水为1~1.2∶2~ 3∶8~10的清洗液,同样煮沸10~12分钟后用去离子水冲洗干净; (4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中,在常温下进行超声波抛动 清洗3~10分钟、关闭超声波,常温下对玻璃继续抛动清洗3~5分钟、 开启超声波,水温控制在50℃~75℃,对基片抛动清洗3~8分钟左右, 关闭超声波后再对基片抛动清洗3~5分钟。清洗介质采用去离子水; (5)放入氮气炉中烘干待用; (6)蒸镀前在真空舱内,用离子枪轰击基片的表面5~10分钟。
公开号  101665910
公开日  2010-03-10
专利代理机构  浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人  程皓
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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