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INGAAS/INP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法
无权-视为撤回

申请号:200810104227.5 申请日:2008-04-16
摘要:本发明公开了一种INGAAS/INP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法,包括:A.选择合适的发射极INGAAS盖帽层厚度的HBT外延片;B.在该外延片上旋涂光刻胶;C.光刻、显影,制作发射极的图形;D.蒸发发射极金属;E.在有机溶液中剥离金属;F.用磷酸基的腐蚀液腐蚀INGAAS盖帽层;G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极INP层。本发明利用发射极INGAAS盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀,INGAAS层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制,精度非常高,因此侧向腐蚀的可控性好。同时,本发明避免干法刻蚀造成的损伤,避免因干法刻蚀造成的器件性能退化,并避免价格昂贵的干法刻蚀设备,有效地节约了成本。
申请人: 中国科学院微电子研究所
地址: 100029北京市********(隐藏)
发明(设计)人: 金智 刘新宇
主分类号: H01L21/28(2006.01)I
分类号: H01L21/28(2006.01)I H01L21/306(2006.01)I H01L21/331(2006.01)I
  • 法律状态
2012-02-29  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 21/28公开日:20091021
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种InGaAs/InP异质结双极性晶体管HBT中亚微米发射极的 湿法腐蚀方法,其特征在于,该方法包括: A、选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片; B、在该外延片上旋涂光刻胶; C、光刻、显影,制作发射极的图形; D、蒸发发射极金属; E、在有机溶液中剥离金属; F、用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层; G、用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。
公开号  101562132A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  周国城
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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