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具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法
无权-未缴年费

申请号:200810092291.6 申请日:2008-04-15
摘要:本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先,提供一基底,此基底具有第一区域与第二区域,其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着,于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件,半导体元件包括多个导电部,且其上预定形成金属硅化物的导电部位于第一区域。随之,形成介电层,以覆盖位于第二区域的导电部。然后,于第一区域的导电部暴露的表面上形成金属硅化物。
申请人: 和舰科技(苏州)有限公司
地址: 215025江苏省********(隐藏)
发明(设计)人: 李秋德
主分类号: H01L21/82(2006.01)I
分类号: H01L21/82(2006.01)I H01L21/8242(2006.01)I H01L27/02(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I
  • 法律状态
2017-05-31  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/82申请日:20080415授权公告日:20120418终止日期:20160415
2012-04-18  授权
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种形成金属硅化物的方法,包括: 提供一基底,该基底具有一第一区域与一第二区域,其中该第一区域的该 基底的表面高于该第二区域的该基底的表面; 于该第一区域与该第二区域的该基底上形成多个半导体元件,该些半导体 元件包括多个导电部,且其上预定形成一金属硅化物的该些导电部位于该第一 区域; 形成一介电层,以覆盖位于该第二区域的该些导电部;以及 于该第一区域的该些导电部暴露的表面上形成该金属硅化物。
公开号  101562151A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司
代理人  陈亮
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期