半导体器件及其制造方法
无权-未缴年费
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Semiconductor device and method of fabricating the same
申请号：200810089862.0 申请日：2008-04-03
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摘要：一种半导体器件，包括具有凹陷栅极的晶体管，其中在多个沟槽中形成接触塞，该多个沟槽通过对半导体衬底开槽而形成。而且，金属线和源极/漏极区可以通过该接触塞连接，使得导通电流可以增加得如沟道面积所增加的一样多。 |
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| Abstract： A semiconductor device includes a transistor having a recessed gate, contact plugs formed in a region of a plurality of trenches, which are formed by recessing a semiconductor substrate. Further, a metal line and a source/drain region can be connected through the contact plug, so that on-current can be increased as much as an increased channel area. | |
| 申请人： 海力士半导体有限公司 | |
| Applicant： HYNIX SEMICONDUCTOR INC | |
| 地址： 韩国京畿道利川市 | |
| 发明(设计)人： 金大植 | |
| Inventor： SIK KIM DAE | |
| 主分类号： H01L21/8234(2006.01)I | |
| 分类号： H01L21/8234(2006.01)I H01L21/8242(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I | |
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- 法律状态
| 2015-05-20 | 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20080403授权公告日:20101013终止日期:20140403 |
| 2010-10-13 | 授权 |
| 2009-02-25 | 实质审查的生效 |
| 2008-12-31 | 公开 |
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
- 其他信息
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底的有源区中沿一个方向形成多个沟槽；在包括所述沟槽的半导体衬底上形成与所述沟槽交叉的凹陷栅极；在所述凹陷栅极两侧的包括所述沟槽的半导体衬底中形成源极/漏极区；在包括所述凹陷栅极的半导体衬底上方形成层间绝缘层；蚀刻所述层间绝缘层以形成接触孔，通过所述接触孔在所述凹陷栅极两侧暴露出沟槽底部的源极/漏极区和所述半导体衬底中的源极/漏极区；形成填充所述接触孔的接触塞；和形成连接至所述接触塞且平行于所述凹陷栅极的金属线。 | ||||||||||||||||||
| 公开号 | 101335240B | ||||||||||||||||||
| 公开日 | 2010-10-13 | ||||||||||||||||||
| 专利代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | ||||||||||||||||||
| 代理人 | 刘继富 顾晋伟 | ||||||||||||||||||
| 颁证日 | |||||||||||||||||||
| 优先权 | 2007.06.28 KR 10-2007-0064473
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| 国际申请 | |||||||||||||||||||
| 国际公布 | |||||||||||||||||||
| 进入国家日期 | |||||||||||||||||||
- 专利对比文献
| 类型 | 阶段 | 文献号 | 公开日期 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
注：不保证该信息的有效性、完整性、准确性，以上信息也不具有任何效力，仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核，使用该信息的一切后果由用户自行负责。
Ｘ：单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件；
Ｙ：与检索报告中其他 Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
Ｙ：与检索报告中其他 Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
- 期刊对比文献
| 类型 | 阶段 | 期刊文摘名称 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
- 书籍对比文献
| 类型 | 阶段 | 书名 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
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- 专利主分类号
