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半导体器件及其制造方法
无权-未缴年费
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Semiconductor device and method of fabricating the same

申请号:200810089862.0 申请日:2008-04-03
摘要:一种半导体器件,包括具有凹陷栅极的晶体管,其中在多个沟槽中形成接触塞,该多个沟槽通过对半导体衬底开槽而形成。而且,金属线和源极/漏极区可以通过该接触塞连接,使得导通电流可以增加得如沟道面积所增加的一样多。
Abstract: A semiconductor device includes a transistor having a recessed gate, contact plugs formed in a region of a plurality of trenches, which are formed by recessing a semiconductor substrate. Further, a metal line and a source/drain region can be connected through the contact plug, so that on-current can be increased as much as an increased channel area.
申请人: 海力士半导体有限公司
Applicant: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
地址: 韩国京畿道利川市
发明(设计)人: 金大植
Inventor: SIK KIM DAE
主分类号: H01L21/8234(2006.01)I
分类号: H01L21/8234(2006.01)I H01L21/8242(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
  • 法律状态
2015-05-20  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20080403授权公告日:20101013终止日期:20140403
2010-10-13  授权
2009-02-25  实质审查的生效
2008-12-31  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造半导体器件的方法,该方法包括以下步骤:在半导体衬底的有源区中沿一个方向形成多个沟槽;在包括所述沟槽的半导体衬底上形成与所述沟槽交叉的凹陷栅极;在所述凹陷栅极两侧的包括所述沟槽的半导体衬底中形成源极/漏极区;在包括所述凹陷栅极的半导体衬底上方形成层间绝缘层;蚀刻所述层间绝缘层以形成接触孔,通过所述接触孔在所述凹陷栅极两侧暴露出沟槽底部的源极/漏极区和所述半导体衬底中的源极/漏极区;形成填充所述接触孔的接触塞;和形成连接至所述接触塞且平行于所述凹陷栅极的金属线。
公开号  101335240B
公开日  2010-10-13
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  刘继富 顾晋伟
颁证日  
优先权  2007.06.28 KR 10-2007-0064473
 
国别 优先权号 优先权日 类型
KR  10-2007-0064473  20070628 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
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