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一种碳纳米管阵列的生长方法
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Growth method of carbon nano-tube array

申请号:200810071868.5 申请日:2008-09-26
CN200810071868
CN101372327A
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摘要:一种碳纳米管阵列的生长方法,涉及一种碳纳米管,尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底,在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层,得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底;将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上;启动微区加热控制电源,直接以加热片为加热装置对基底加热;通入载气和碳源气;关闭微区加热控制器电源,将基底取出,得到样品。
Abstract: A method for growing a carbon nanotube array relates to a carbon nanotube, in particular to a furnace-free method for growing a very long carbon nanotube array with low energy consumption. The invention provides a method for growing a carbon nanotube array. A substrate is provided, a buffer layer and a catalyst layer are sputtered successively on the surface of the substrate to obtain the substrate with the top surface sputtered with the buffer layer and the catalyst layer; the substrate with the top surface spurted with the buffer layer and the catalyst layer is put on a heating element; a micro-area heating control power supply is switched on, the heating element is directly taken as a heating device to heat the substrate; a carrier gas and a carbon source gas are filled in; then the micro-area heating control power supply is switched off, the substrate is taken out to obtain a sample.
申请人: 厦门大学
Applicant: UNIV XIAMEN[CN]
地址: 361005福建省********(隐藏)
发明(设计)人: 谢素原 马春印 林水潮 江智渊 黄荣彬 郑兰荪
Inventor: SUYUAN XIE[CN]; CHUNYIN MA[CN]; SHUICHAO LIN[CN]; ZHIYUAN JIANG[CN]; RONGBIN HUANG[CN]; LANSUN ZHENG[CN]
主分类号: C01B31/02(2006.01)I
分类号: C01B31/02(2006.01)I C23C14/34(2006.01)I C23C14/06(2006.01)I
  • 法律状态
2011-03-23  授权
2009-04-22  实质审查的生效
2009-02-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种碳纳米管阵列的生长方法,其特征在于包括以下步骤: 1)提供一基底,在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层,得上表面溅射有 一层缓冲层和一层催化剂的基底; 2)将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上; 3)启动微区加热控制电源,直接以加热片为加热装置对基底加热; 4)通入载气和碳源气; 5)关闭微区加热控制器电源,将基底取出,得到样品。
公开号  101372327A
公开日  2009-02-25
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200810071868  20080926 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
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