搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

一种碳纳米管阵列的生长方法
有权
阅读授权文献

申请号:200810071868.5 申请日:2008-09-26
摘要:一种碳纳米管阵列的生长方法,涉及一种碳纳米管,尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底,在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层,得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底;将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上;启动微区加热控制电源,直接以加热片为加热装置对基底加热;通入载气和碳源气;关闭微区加热控制器电源,将基底取出,得到样品。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 谢素原 马春印 林水潮 江智渊 黄荣彬 郑兰荪
主分类号: C01B31/02(2006.01)I
分类号: C01B31/02(2006.01)I C23C14/34(2006.01)I C23C14/06(2006.01)I
  • 法律状态
2011-03-23  授权
2009-04-22  实质审查的生效
2009-02-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种碳纳米管阵列的生长方法,其特征在于包括以下步骤: 1)提供一基底,在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层,得上表面溅射有 一层缓冲层和一层催化剂的基底; 2)将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上; 3)启动微区加热控制电源,直接以加热片为加热装置对基底加热; 4)通入载气和碳源气; 5)关闭微区加热控制器电源,将基底取出,得到样品。
公开号  101372327
公开日  2009-02-25
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期