具有H型栅的射频SOI LDMOS器件
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Radio frequency SOI LDMOS device with H-shaped gate

申请号：200810057936.2 申请日：2008-02-21

	摘要：本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOILDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上，利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出；源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根H型栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法，以及与CMOS工艺兼容的N-漂移区硅化物掩蔽方法。
	Abstract： The invention relates to the field of radio frequency power devices, and discloses a radio frequency SOI LDMOS device with H-shaped gate. The device comprises bottom layer silicon, an embedding oxide layer, top layer silicon, a P<-> region, an N<-> region, an H-shaped gate oxide layer, an H-shaped polysilicon gate layer, an H-shaped gate poly-silicide layer, a gate electrode, a silicon nitride side wall, an N<-> drift region, a drain region, a drain region silicide layer, a drain electrode, a source region, a body lead-out region, a source region silicide layer and a source electrode. The radio frequency LDMOS device is manufactured on an SOI substrate, and forms the body lead-out which is in short circuit with the source region by utilizing a heavily doped region in the same form as the P<-> region; the source/body, a drain/body and the gate and the corresponding electrodes are interconnected by the silicide; and a plurality of gate bars are connected in parallel in the forked mode so as to improve the driving capability of the device. Simultaneously, the invention discloses a method for adjustment, back-gate injection, N<-> region injection and N<-> drift region injection, whichis compatible with the CMOS process and a method for hiding the silicide in the N<-> drift region, which is compatible with the CMOS process.
	申请人：中国科学院微电子研究所
	当前权利人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中国科学院微电子研究所
	Applicant： INST OF MICROELECTRONICS CAS
	地址： 100029 北京市朝阳区北土城********(隐藏)
	发明(设计)人：刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
	Inventor： JINSHUN BI; GANG LIU; ZHENGSHENG HAN; XUEMEI FAN; CHAORONG ZHAO; MENGXIN LIU
	主分类号： H01L27/12(2006.01)I
	分类号： H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I

法律状态

2020-02-11	未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20080221授权公告日:20100728终止日期:20190221

2013-05-08	专利权的转移IPC(主分类):H01L 27/12变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更后权利人:中国科学院微电子研究所登记生效日:20130419

2010-07-28	授权

2009-10-21	实质审查的生效

2009-08-26	公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

其他信息

主权项

一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS器件，其特征在于，该射频LDMOS器件由从上至下依次为顶层硅(3)、埋氧层(2)和底层硅(1)的绝缘体上硅SOI作为基本架构，该射频LDMOS器件包括：设置于埋氧层(2)上表面的P-区(20)，在紧邻P-区(20)两侧分别设置的第一N-区(23)和第二N-区(24)；设置于顶层硅(3)上表面的第一H型栅氧化层(7)和第二H型栅氧化层(8)；设置于第一H型栅氧化层(7)上表面的第一H型多晶硅栅层(9)，设置于第一H型多晶硅栅层(9)上表面的第一H型栅多晶硅化物层(11)，以及设置于第一H型栅多晶硅化物层(11)上表面的第一栅电极(17)；设置于第一H型多晶硅栅层(9)一侧的第二H型氮化硅侧墙(14)，以及设置于第一H型多晶硅栅层(9)另一侧的第一H型氮化硅侧墙(13)；设置于第二H型栅氧化层(8)上表面的第二H型多晶硅栅层(10)，设置于第二H型多晶硅栅层(10)上表面的第二H型栅多晶硅化物层(12)，以及设置于第二H型栅多晶硅化物层(12)上表面的第二栅电极(18)；设置于第二H型多晶硅栅层(10)一侧的第三H型氮化硅侧墙(15)，以及设置于第二H型多晶硅栅层(10)另一侧的第四H型氮化硅侧墙(16)；设置于第一H型栅氧化层(7)一侧的第一N-漂移区(25)，在紧邻第一N-漂移区(25)的旁侧设置的第一漏区(27)，设置于第一漏区(27)上表面的第一漏区硅化物层(29)，设置于第一漏区硅化物层(29)上表面的第一漏电极(30)；设置于第二H型栅氧化层(8)一侧的第二N-漂移区(26)，在紧邻第二N-漂移区(26)的旁侧设置的第二漏区(28)，设置于第二漏区(28)上表面的第二漏区硅化物层(31)，设置于第二漏区硅化物层(31)上表面的第二漏电极(32)；设置于第一H型栅氧化层(7)另一侧的第一源区(35)，设置于第二H型栅氧化层(8)另一侧的第二源区(19)，在紧邻第一源区(35)和第二源区(19)的前方和后方设置的与P-区(20)同型的重掺杂体引出区(4)，在体引出区(4)和第一源区(35)以及第二源区(19)上表面设置的体区源区硅化物层(21)，设置于体区源区硅化物层(21)上表面的源电极(22)。

公开号

101515588B

公开日

2010-07-28

专利代理机构

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人

周国城

颁证日

优先权

国别	优先权号	优先权日	类型

CN	200810057936	20080221	Y

国际申请

国际公布

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专利对比文献

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