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一种具有光子晶体结构的低成本大面积纳米压印模版制备技术
无权-视为撤回

申请号:200810042412.6 申请日:2008-09-03
摘要:一种具有光子晶体结构的大面积纳米压印模版的制备技术,涉及模版的结构和制备技术。模版的结构是二维交错排列的周期性纳米凸起的光子晶体结构。模版的制备技术包括:(1)在石英表面涂敷一层金属铬和电子束光刻胶,利用电子束曝光技术和显影技术在光刻胶表面形成二维交错排列的微米级圆孔型光子晶体结构,占空比为1∶1;(2)利用反应粒子刻蚀工艺将光刻胶表面的图形转移到铬层,再以铬层为阻挡层,将图形转移到石英基底表面,然后去除石英表面的光刻胶,转移到石英玻璃表面的结构为二维交错排列的微米级圆孔型光子晶体结构(阴模版);(3)配置BOE刻蚀溶液(40%NH4F∶49%HF=5∶1),将石英阴模版放置在BOE刻蚀溶液中,温度控制在20℃~25℃,超声,5~8分钟后,石英玻璃表面二维交错排列的微米级圆孔型光子晶体周期结构(阴模版)便转换为二维交错排列的纳米凸起光子晶体周期结构(阳模版),凸起的尺寸在90~300纳米可调,深度控制在100~200纳米,周期与阴模版周期保持不变。本发明的纳米压印模版的制备技术成本低,能大面积制作,适合于纳米压印工艺。本发明属于纳米加工技术领域。
申请人: 上海市纳米科技与产业发展促进中心
地址: 200237上海市嘉川路245号3号楼3楼
发明(设计)人: 李小丽 王庆康 张静 刘彦伯 周伟民 万永中
主分类号: B82B3/00(2006.01)I
分类号: B82B3/00(2006.01)I
  • 法律状态
2013-11-06  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):B82B 3/00申请公布日:20100310
2010-08-18  实质审查的生效IPC(主分类):B82B 3/00申请日:20080903
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种具有光子晶体结构的大面积纳米压印模版制备技术,结构是二维交错排 列的周期性纳米凸起光子晶体结构,凸起尺寸为几十到几百纳米,周期为 1~2微米。
公开号  101665234
公开日  2010-03-10
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