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一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法
无权-未缴年费

申请号:200810011088.1 申请日:2008-04-18
摘要:本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基体表面于500~1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下:长度10~50ΜM,宽度0.5~5ΜM,厚度100~200NM。硅化物纳米片的典型尺寸为:长度和宽度都在5~50ΜM,厚度10~100NM。总之,利用本发明提供的方法可以实现多种硅化物纳米带和纳米片的控制制备,突破了目前硅化物只有纳米线存在的状态,可望应用于纳米器件和锂离子电池负极材料。
申请人: 中国科学院金属研究所
地址: 110016辽宁省********(隐藏)
发明(设计)人: 成会明 张宏立 李峰 刘畅 闻雷
主分类号: C30B29/10(2006.01)I
分类号: C30B29/10(2006.01)I C30B29/60(2006.01)I C30B25/00(2006.01)I C01B33/06(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-01  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 29/10申请日:20080418授权公告日:20111109终止日期:20150418
2011-11-09  授权
2009-12-16  实质审查的生效
2009-10-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法,其特征在于:通过使用氯代 硅烷和氢气在金属基体表面发生化学反应,从而在基体表面原位生长出硅化物 纳米带或纳米片。
公开号  101560694A
公开日  2009-10-21
专利代理机构  沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人  张志伟
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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