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固态成像装置及其制造方法以及成像设备
有权
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申请号:200780052901.3 申请日:2007-08-20
摘要:可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12S)上以降低界面态的膜(21),以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12S)上。
申请人: 索尼株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 山口哲司 大岸裕子 安藤崇志 池田晴美
主分类号: H01L27/148(2006.01)I
分类号: H01L27/148(2006.01)I H01L31/10(2006.01)I
  • 法律状态
2011-12-14  授权
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/148申请日:20070820
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种固态成像装置,其特征在于: 所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分,所述固态 成像装置包括: 设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜;以及 设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜, 其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧。
公开号  101669205
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  陶凤波
颁证日  
优先权  2007.5.7 JP 122370/2007
国际申请  2007-08-20 PCT/JP2007/066116
国际公布  2008-11-20 WO2008/139644 日
进入国家日期  2009.11.09