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利用大规模FET阵列测量分析物的方法和装置
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申请号:200780051353.2 申请日:2007-12-14
摘要:本发明涉及用于分析物测量的非常大规模FET阵列的方法和装置。可基于改进的FET像素和阵列设计,利用常规CMOS制造技术来制造化学FET(例如ISFET)阵列,该设计在提高测量的灵敏度和准确度的同时有利于明显小的像素尺寸和密集阵列。改进的阵列控制技术提供从大型密集阵列的快速数据采集。这种阵列可用于在广泛的化学和/或生物过程中检测不同类型的分析物的存在和/或浓度的改变。在一个实例中,化学FET有利于基于监测氢离子浓度(PH)变化、其他分析物浓度的变化和/或与涉及DNA合成的化学过程有关的结合事件的DNA序列测定技术。
申请人: 离子流系统有限公司
地址: 美国康涅狄格州
发明(设计)人: 乔纳森·M·罗思伯格 沃尔夫冈·欣茨 金·L·约翰逊 詹姆斯·布斯蒂略
主分类号: G01N27/414(2006.01)I
分类号: G01N27/414(2006.01)I G01N33/543(2006.01)I
  • 法律状态
2014-05-07  授权
2011-03-23  专利申请权的转移IPC(主分类):G01N 27/414变更事项:申请人变更前权利人:离子流系统有限公司变更后权利人:生命技术公司变更事项:地址变更前权利人:美国康涅狄格州变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20110212
2010-04-28  实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/414申请日:20071214
2010-03-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种装置,包括 CMOS制造的传感器(105)的阵列(100),每个传感器包括一个化 学敏感场效应晶体管(化学FET)(150),并且在所述阵列的表面上占据 约10微米乘10微米或更少的面积。
公开号  101669026
公开日  2010-03-10
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司
代理人  顾晋伟 王春伟
颁证日  
优先权  2006.12.14 US 60/870,073;2007.7.10 US 60/948,748;2007.8.16 US 60/956,324
国际申请  2007-12-14 PCT/US2007/025721
国际公布  2008-06-26 WO2008/076406 英
进入国家日期  2009.08.14