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采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法
无权-未缴年费

申请号:200710120284.8 申请日:2007-08-15
摘要:本发明涉及半导体材料生长技术领域,公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法,该方法包括:加热反应室,当反应室温度升到生长温度时,利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应,同时控制氢气和氮气的比例,反应物在还原气氛下产生金属铟液滴,利用产生的金属铟液滴作为催化剂,催化反应物形成含铟氮化物纳米材料。利用本发明,可以生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料,实现了在MOCVD设备上利用自催化方法生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料。另外,本发明提供的这种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法,还可以推广到普通的化学气相沉积CVD设备中去。
申请人: 中国科学院半导体研究所
地址: 100083北京市海淀区清华东路甲35号
发明(设计)人: 康亭亭 刘祥林
主分类号: C01B21/06(2006.01)I
分类号: C01B21/06(2006.01)I C01G15/00(2006.01)I
  • 法律状态
2013-10-02  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C01B 21/06申请日:20070815授权公告日:20100623终止日期:20120815
2010-06-23  授权
2009-04-15  实质审查的生效
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法,其特征 在于,该方法包括: 加热反应室,当反应室温度升到生长温度时,利用氢气和氮气为载气 将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应,同时控制氢气和氮 气的比例,反应物在还原气氛下产生金属铟液滴,利用产生的金属铟液滴 作为催化剂,催化反应物形成含铟氮化物纳米材料。
公开号  101367510
公开日  2009-02-18
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  周国城
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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