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硅片研磨速率控制方法
无权-视为撤回

申请号:200710058761.2 申请日:2007-08-15
摘要:本发明提供一种硅片研磨速率控制方法,包括将被研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上,将研磨液供给到被研硅片表面,对研磨机施加压力,并控制研磨机的研磨盘转动,而对被研磨物表面进行研磨;其改进之处是:使用的研磨液包括磨料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂和去离子水;研磨机上的研磨压力控制在50KPA以下,并控制上磨盘的转速为200RPM以下,下磨盘的转速为200RPM以下;可以有效提高研磨硅片的研磨速率,同时保证研磨后硅片具有较好的表面质量,提升生产效率,降低生产成本。
申请人: 江苏海迅实业集团股份有限公司
地址: 226600江苏省海安开发区城东镇东海大道18号
发明(设计)人: 仲跻和
主分类号: B24B37/04(2006.01)I
分类号: B24B37/04(2006.01)I B24B29/00(2006.01)I B24B1/00(2006.01)I C09G1/02(2006.01)I C09K3/14(2006.01)I H01L21/304(2006.01)I
  • 法律状态
2011-05-04  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):B24B 37/04公开日:20090218
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种硅片研磨速率控制方法,包括将被研磨硅片夹持到研磨机的研磨 盘上,将研磨液供给到被研硅片表面,对研磨机施加压力,并控制研磨机的 研磨盘转动,而对被研磨物表面进行研磨;其特征在于:所述研磨液包括磨 料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂和去离子水;所述研磨机上的 研磨压力控制在50kPa以下,并控制上磨盘的转速为200rpm以下,下磨盘的 转速为200rpm以下。
公开号  101367194
公开日  2009-02-18
专利代理机构  天津三元专利商标代理有限责任公司
代理人  胡婉明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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