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硅片抛光表面划伤的控制方法
无权-视为撤回

申请号:200710058749.1 申请日:2007-08-15
摘要:本发明提供一种硅片抛光表面划伤的控制方法,包括在将硅片粘贴在抛光机抛光盘上,然后将抛光盘固定在抛光机抛光头上,控制抛光机的压力和上下抛光盘的转速,以及向抛光盘及硅片间注入抛光液;其改进之处在于,所述抛光液包括磨料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水;所述抛光机的压力控制在50KPA以下,上抛光盘的转速控制在60RPM以下,下抛光盘的转速控制在60RPM以下;可以有效降低抛光硅片表面的划伤,同时能够保证硅片抛光具有较高的去除速率,而且生产成本较低,适合规模生产需要。
申请人: 江苏海迅实业集团股份有限公司
地址: 226600江苏省海安开发区城东镇东海大道18号
发明(设计)人: 仲跻和
主分类号: B24B29/00(2006.01)I
分类号: B24B29/00(2006.01)I H01L21/304(2006.01)I C09G1/02(2006.01)I C09G1/04(2006.01)I
  • 法律状态
2011-05-04  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):B24B 29/00公开日:20090218
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种硅片抛光表面划伤的控制方法,包括在将硅片粘贴在抛光机抛光 盘上,然后将抛光盘固定在抛光机抛光头上,控制抛光机的压力和上下抛光 盘的转速,以及向抛光盘及硅片间注入抛光液;其特征在于,所述抛光液包 括磨料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水;所 述抛光机的压力控制在50kPa以下,上抛光盘的转速控制在60rpm以下,下 抛光盘的转速控制在60rpm以下。
公开号  101367189
公开日  2009-02-18
专利代理机构  天津三元专利商标代理有限责任公司
代理人  胡婉明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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