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晶圆背面研磨方法
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申请号:200710045033.8 申请日:2007-08-17
摘要:一种晶圆背面研磨方法,包括:提供晶圆,所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面;贴附保护胶带于所述晶圆的正面,所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差;计算研磨厚度,所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和;将所述晶圆装载于研磨装置,使所述晶圆的背面显露;根据计算所得的研磨厚度,研磨所述晶圆的背面。本发明晶圆背面研磨方法可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄,同时却不会增加晶圆的破损率。
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址: 201203上海市浦东新区张江路18号
发明(设计)人: 许顺富 傅俊 陆志卿 赖海长
主分类号: B24B37/04(2006.01)I
分类号: B24B37/04(2006.01)I H01L21/304(2006.01)I
  • 法律状态
2011-05-11  授权
2009-04-15  实质审查的生效
2009-02-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种晶圆背面研磨方法,其特征在于,包括下述步骤: 提供晶圆,所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背 面; 贴附保护胶带于所述晶圆的正面,所述保护胶带的厚度大于等于研磨装 置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差; 计算研磨厚度,所述研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预 定的晶圆厚度之和; 将所述晶圆装载于研磨装置,使所述晶圆的背面显露; 根据计算所得的研磨厚度,研磨所述晶圆的背面。
公开号  101367192
公开日  2009-02-18
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司
代理人  逯长明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期