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半导体器件及其构建方法
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Semiconductor device and method for designing the same

申请号:200610148648.9 申请日:2004-01-21
摘要:本发明公开了一种半导体器件及其构建方法。在具有位于将要连接至 再布线层布线的凸点下方的最上层布线的半导体器件中,形成最上层布线, 使得覆盖最上层布线的保护膜的表面在凸点下方没有凹凸。
Abstract: In a semiconductor device having an uppermost layer wiring beneath a bump to be connected to a rewiring layer wiring, the uppermost layer wiring is formed so that the surface of a protection film covered with the uppermost layer wiring has no unevenness beneath the bump.
申请人: 松下电器产业株式会社
当前权利人: 株式会社索思未来
Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD[JP]
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 伊势田泰永 金泽秀树
Inventor: YASUNAGA ISEDA[JP]; HIDEKI KANAZAWA[JP]
主分类号: H01L23/485(2006.01)I
分类号: H01L23/485(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2015-12-02  专利权的转移IPC(主分类):H01L 23/485登记生效日:20151113变更事项:专利权人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:株式会社索思未来变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本神奈川县
2009-07-08  授权
2007-08-15  
2007-06-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1. 一种半导体器件,包括: 最上层布线,形成在半导体衬底上; 再布线层,其形成来通过一保护膜连接所述最上层布线;以及 连接所述再布线层的凸点, 其中所述凸点在所述最上层布线的边缘上方形成,并定位在与该最上 层布线的节点电势相同的再布线层节点中。
公开号  100511660C
公开日  2009-07-08
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  张 波
颁证日  
优先权  2003.1.22 JP 013923/03
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  013923/03  20030122 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数