搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

硅金键合方法
无权-未缴年费

申请号:200610135263.9 申请日:2006-11-28
摘要:硅金键合方法,涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质,基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜:用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0~1.5ΜM的铝膜,一次氧化后用6WT%的磷酸和1.8WT%的铬酸混合液去除一次氧化膜,再二次氧化后用5WT%的磷酸进行扩孔处理;制备键合晶片:将2片硅片放入键合器,烘干后在N2保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPA提高到3.03MPA,晶片的键合品质得到显着提高;而晶片的断裂界面没有发生什么变化,说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 孙道恒 吕文龙 王凌云 刘益芳 吴德志
主分类号: B81C3/00(2006.01)I
分类号: B81C3/00(2006.01)I
  • 法律状态
2013-01-23  未缴年费专利权终止IPC(主分类):B81C 3/00申请日:20061128授权公告日:20090715终止日期:20111128
2009-07-15  授权
2007-07-04  
2007-05-09  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.硅金键合方法,其特征在于其具体步骤为: 1)采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜:用电子束蒸发的方法在硅片上制 备一层厚度1.0~1.5μm的铝膜,一次氧化后用6wt%的磷酸和1.8wt%的铬酸混合液去除一次 氧化膜,再二次氧化后用5wt%的磷酸进行扩孔处理; 2)制备键合晶片:将2片硅片放入键合器,烘干后在N2保护下退火得键合晶片。
公开号  1958437
公开日  2007-05-09
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森 张耕祥
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期