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一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法
无权-未缴年费

申请号:200610122340.7 申请日:2006-09-25
摘要:一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法,涉及一种纳米一氧化钴,提供一种用于实现一氧化钴纳米晶体的晶面可控性生长的方法。其步骤为:将三辛胺和油酸按比例混合为淡黄色透明离子液体;将钴的含氧酸盐加入步骤1配制的透明离子液体中,在270~400℃下恒温后冷却;取下层棕色沉淀用乙醇反复清洗至少5次,即得最后目标产物。通过调节离子液体的极性,可有效调节离子液体中的离子与一氧化钴的极性面之间的静电作用的强弱,从而改变极性面表面能的大小,可实现对所需晶面生长的控制。所合成的COO纳米晶体裸露面全部是极性面,热稳定性和化学稳定性以及离子电导率高,分解电压和热容量大。反应过程无污染、反应效率高。装置简单,可操作性强。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 周樨 谢兆雄 黄荣彬 郑兰荪
主分类号: C30B7/08(2006.01)I
分类号: C30B7/08(2006.01)I C30B29/16(2006.01)I C01G51/04(2006.01)I
  • 法律状态
2013-11-20  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 7/08申请日:20060925授权公告日:20100512终止日期:20120925
2010-05-12  授权
2007-09-05  
2007-07-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法,其特征在于其步骤如下: 1)制备离子液体:将三辛胺和油酸混合为淡黄色透明离子液体; 2)将钴的含氧酸盐加入步骤1配制的透明离子液体中,在270~400℃下恒温,然后冷 却; 3)取下层棕色沉淀用乙醇反复清洗至少5次,即得到最后目标产物。
公开号  1995482
公开日  2007-07-11
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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