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纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法
无权-未缴年费

申请号:200610088283.5 申请日:2006-07-07
摘要:纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法,以(100)晶向的SOI为衬底;采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度;旋涂电子束抗蚀剂,以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺;以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量;根据显影结果,对第一次曝光版图做图形补偿修正;对原始的设计版图进行图形修补,确定最好的修补版图;干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上,最后湿法去胶。
申请人: 南京大学
地址: 210093江苏省********(隐藏)
发明(设计)人: 施毅 陈杰智 濮林 郑有炓 龙世兵 刘明
主分类号: B82B3/00(2006.01)I
分类号: B82B3/00(2006.01)I
  • 法律状态
2012-09-05  未缴年费专利权终止IPC(主分类):B82B 3/00申请日:20060707授权公告日:20110511终止日期:20110707
2011-05-11  授权
2007-02-14  
2006-12-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种纳米点结构制备方法,其特征包括:以(100)晶向的SOI为衬底;采用 热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度;旋涂电子束抗 蚀剂,设计原始版图,设计一组电子束曝光剂量进行电子束直写工艺;在固定显影时 间内显影并定影,以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量;根据显影 结果,比较显影图形与设计图形差别,对第一次曝光版图做图形补偿修正;对原始的 设计版图进行图形修补,对于容易显掉的边角部分叠加其它图形,对于不容易显出的 图形交叠处减少版图中图形交叠部分甚至图形分离;基于修改版图第二次电子束直写 曝光,固定电子束曝光剂量和显影时间;重复上述过程,观察显影结果以确定最好的 修补版图图形,基于修改版图进行正式电子束曝光;固定显影时间和曝光剂量,确定 最好的修补版图;干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上,最后湿法去胶。
公开号  1884043A
公开日  2006-12-27
专利代理机构  南京天翼专利代理有限责任公司
代理人  汤志武 王鹏翔
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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