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半导体存储器及半导体存储器的存取方法
无权-未缴年费

Semiconductor memory and method for accessing semiconductor memory

申请号:200610077864.9 申请日:1998-11-12
摘要:一种使用了铁电体层的半导体存储器,包括:存储单元,由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成;缓冲单元,可复制该存储单元的数据;和缓冲电路,把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。这样,可以利用缓冲单元定期刷新存储单元的数据,因此,不会使数据消失并可以长时间保持数据。
Abstract:
申请人: 罗姆股份有限公司
Applicant: ROHM CO LTD[JP]
地址: 日本京都府
发明(设计)人: 中村孝
Inventor: TAKASHI NAKAMURA[JP]
主分类号: G11C11/22(2006.01)I
分类号: G11C11/22(2006.01)I G11C5/00(2006.01)I G11C7/00(2006.01)I
  • 法律状态
2018-01-05  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/22申请日:19981112授权公告日:20100526终止日期:20161112
2010-05-26  授权
2006-12-06  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种使用了铁电体层的半导体存储器,包括: 存储单元,由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储 FET组成; 缓冲单元,可复制该存储单元的数据;和 缓冲电路,把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复 制的数据再次写入到上述存储单元。
公开号  1845251A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  刘建
颁证日  
优先权  1997.11.14 JP 1997-313359;1997.11.14 JP 1997-313360
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  1997-313359  19971114 
JP  1997-313360  19971114 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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