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半导体存储器件
无权-视为放弃

申请号:200610074181.8 申请日:2006-04-07
摘要:提供一种半导体存储器件,不增加芯片面积,就可以实现可靠性提高和合格率提高等高性能。该半导体存储器件是可写入和擦除数据、且在没提供电压期间也能保存该数据的非易失性半导体存储器件,具备存储单元,该存储单元包括可分别存储对应数据的静电荷的第1局部电荷部和第2局部电荷部,第2局部电荷部通过存储与应该存储在第1局部电荷部中的静电荷对应的静电荷,来补充第1局部电荷部。
申请人: 松下电器产业株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 椋木敏夫
主分类号: G11C29/00(2006.01)I
分类号: G11C29/00(2006.01)I G11C29/24(2006.01)I
  • 法律状态
2012-10-24  专利权的视为放弃IPC(主分类):G11C 29/00放弃生效日:20061011
2008-04-09  实质审查的生效
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体存储器件,是可写入和擦除数据、且在没供给电 压期间也能保存该数据的非易失性的半导体存储器件,其特征在于, 具备存储单元,该存储单元包含可分别存储对应上述数据的静电 荷的第1局部电荷部及第2局部电荷部; 上述第2局部电荷部通过存储与应该存储在上述第1局部电荷部 的静电荷对应的静电荷,来补充上述第1局部电荷部。
公开号  1845255A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司
代理人  陈英俊
颁证日  
优先权  2005.4.7 JP 111351/2005
国际申请  
国际公布  
进入国家日期