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层叠型半导体装置
无权-未缴年费
权利转移

Laminated semiconductor device

申请号:200610073556.9 申请日:2006-04-10
摘要:本发明的层叠型半导体装置具有:底部基板,在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列,并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形;一个或多个半导体芯片,具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列,被层叠在上述底部基板上;和一个或多个内插基板,形成有包括多个布线的布线层,上述多个布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子,被配置为彼此大致平行且大致等长。
Abstract: A stacked type semiconductor device comprising: a baseboard having a terminal row formed at an end in which connecting terminals is arranged linearly and having a wiring pattern connected to the connecting terminals and external terminals; semiconductor chips having a pad row in which pads is arranged linearly in parallel to the terminal row and being stacked on the baseboard; and interposer boards having a wiring layer including a plurality of wires arranged in parallel with the same length for connecting between pads of the pad row and connecting terminals of the terminal row.
申请人: 尔必达存储器株式会社
当前权利人: PS4拉斯口有限责任公司
Applicant: ELPIDA MEMORY INC[JP]
地址: 日本东京
发明(设计)人: 片桐光昭 柴本正训 原敦 青木孝一郎 谏田尚哉 菊地修司 谷江尚史
Inventor: HIS KATAGIRI MITSUAKI SHIBAMOT[JP]
主分类号: H01L25/065(2006.01)I
分类号: H01L25/065(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-01  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 25/065申请日:20060410授权公告日:20090225终止日期:20150410
2013-09-18  专利权的转移IPC(主分类):H01L 25/065变更事项:专利权人变更前权利人:尔必达存储器株式会社变更后权利人:PS4拉斯口有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:卢森堡卢森堡市登记生效日:20130828
2009-02-25  授权
2006-12-06  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种层叠型半导体装置,具有: 底部基板,在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列,并 具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形; 一个或多个半导体芯片,被层叠在上述底部基板上,具有以和上 述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列;和 一个或多个内插基板,形成有包括多个布线的布线层,上述多个 布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子,被配置为彼 此大致平行且大致等长。
公开号  1845325A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  陆锦华 李亚
颁证日  
优先权  2005.4.8 JP 2005-112902
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2005-112902  20050408 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数