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半导体芯片
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Semiconductor chip

申请号:200610071402.6 申请日:2006-03-20
摘要:半导体芯片(100)包括:未示出的半导体衬底;以及形成在半导 体衬底上的层叠膜(150),其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含 碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此, 无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组 分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。
Abstract: A semiconductor chip 100 includes a semiconductor substrate (not shown), and a stacked film 150 formed over the semiconductor substrate, which includes carbon-containing insulating films such as a first interlayer insulating film 106, and carbon-free insulating films such as an underlying layer 102 and a top cover film 124. The end faces of the carbon-free insulating films herein are located on the outer side of the end faces of the carbon-containing insulating films. The carbon composition of the carbon-containing insulating films is lowered in the end portions thereof than in the inner portions. The film density of the carbon-containing insulating films is raised in the end portions thereof than in the inner portions.
申请人: 恩益禧电子股份有限公司
当前权利人: 瑞萨电子株式会社
Applicant: NEC ELECTRONICS CORP[JP]
地址: 日本神奈川
发明(设计)人: 大音光市 宇佐美达矢
Inventor: KOICHI OHTO[JP]; TATSUYA USAMI[JP]
主分类号: H01L23/522(2006.01)I
分类号: H01L23/522(2006.01)I H01L21/314(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2015-05-13  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 23/522申请日:20060320授权公告日:20091014终止日期:20140320
2010-12-22  专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):H01L 23/522变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2009-10-14  授权
2006-11-22  
2006-09-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体芯片,包括: 半导体衬底;以及 层叠膜,其形成在所述半导体衬底上,包括含碳绝缘膜和无碳绝 缘膜,所述无碳绝缘膜的端面位于所述含碳绝缘膜的端面的外侧。
公开号  100550366C
公开日  2009-10-14
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  孙志湧 陆锦华
颁证日  
优先权  2005.3.18 JP 2005-079105
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2005-079105  20050318 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数