半导体芯片
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Semiconductor chip
申请号：200610071402.6 申请日：2006-03-20
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摘要：半导体芯片(100)包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导 体衬底上的层叠膜(150)，其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含 碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此， 无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组 分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。 |
|---|---|
| Abstract： A semiconductor chip 100 includes a semiconductor substrate (not shown), and a stacked film 150 formed over the semiconductor substrate, which includes carbon-containing insulating films such as a first interlayer insulating film 106, and carbon-free insulating films such as an underlying layer 102 and a top cover film 124. The end faces of the carbon-free insulating films herein are located on the outer side of the end faces of the carbon-containing insulating films. The carbon composition of the carbon-containing insulating films is lowered in the end portions thereof than in the inner portions. The film density of the carbon-containing insulating films is raised in the end portions thereof than in the inner portions. | |
| 申请人： 恩益禧电子股份有限公司 | |
| 当前权利人： 瑞萨电子株式会社 | |
| Applicant： NEC ELECTRONICS CORP[JP] | |
| 地址： 日本神奈川 | |
| 发明(设计)人： 大音光市 宇佐美达矢 | |
| Inventor： KOICHI OHTO[JP]; TATSUYA USAMI[JP] | |
| 主分类号： H01L23/522(2006.01)I | |
| 分类号： H01L23/522(2006.01)I H01L21/314(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I | |
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- 法律状态
| 2015-05-13 | 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 23/522申请日:20060320授权公告日:20091014终止日期:20140320 |
| 2010-12-22 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):H01L 23/522变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川 |
| 2009-10-14 | 授权 |
| 2006-11-22 | |
| 2006-09-20 | 公开 |
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
- 其他信息
| 主权项 | 1.一种半导体芯片，包括： 半导体衬底；以及 层叠膜，其形成在所述半导体衬底上，包括含碳绝缘膜和无碳绝 缘膜，所述无碳绝缘膜的端面位于所述含碳绝缘膜的端面的外侧。 | ||||||||||||||||||
| 公开号 | 100550366C | ||||||||||||||||||
| 公开日 | 2009-10-14 | ||||||||||||||||||
| 专利代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | ||||||||||||||||||
| 代理人 | 孙志湧 陆锦华 | ||||||||||||||||||
| 颁证日 | |||||||||||||||||||
| 优先权 | 2005.3.18 JP 2005-079105
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| 国际申请 | |||||||||||||||||||
| 国际公布 | |||||||||||||||||||
| 进入国家日期 | |||||||||||||||||||
- 专利对比文献
| 类型 | 阶段 | 文献号 | 公开日期 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
注：不保证该信息的有效性、完整性、准确性，以上信息也不具有任何效力，仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核，使用该信息的一切后果由用户自行负责。
Ｘ：单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件；
Ｙ：与检索报告中其他 Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
Ｙ：与检索报告中其他 Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
- 期刊对比文献
| 类型 | 阶段 | 期刊文摘名称 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
- 书籍对比文献
| 类型 | 阶段 | 书名 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
- 附加信息
