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双镶嵌结构的制造方法
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Making method for dual enchasing structure

申请号:200610029908.0 申请日:2006-08-10
摘要:一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供一表面具有第一介质层的半导 体衬底;在所述第一介质层中形成金属互连线;在所述第一介质层和所述导 电结构层表面形成覆盖层;在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介 质层中形成连接孔;在所述第二介质层上形成底部抗反射层、遮挡层和光致 抗蚀剂层;刻蚀所述底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层,以及所述覆盖 层直至露出所述金属互连线;填充金属材料形成双镶嵌结构。本发明的方法 在第二介质层上覆盖的底部抗反射层表面淀积一层致密的遮挡层,这层遮挡 层能够阻止覆盖层中的氮离子与光致抗蚀剂接触,从而避免了光致抗蚀剂中 毒现象的发生。
Abstract:
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
当前权利人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Applicant: SEMICONDUCTOR MFG INT SHANGHAI[CN]
地址: 201203上海市********(隐藏)
发明(设计)人: 宁先捷
Inventor: XIANJIE NING[CN]
主分类号: H01L23/522(2006.01)I
分类号: H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2012-03-14  专利权的转移IPC(主分类):H01L 23/522变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20120201
2009-11-18  授权
2008-04-09  实质审查的生效
2008-02-13  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种双镶嵌结构的制造方法,包括: 提供一表面具有介质层的半导体衬底,在所述介质层中形成金属 互连线; 平坦化所述介质层和所述金属互连线; 在所述介质层和所述金属互连线表面形成覆盖层; 在所述覆盖层上形成层间介电层,在所述层间介电层中形成连接 孔; 在具有连接孔的层间介电层上覆盖底部抗反射层; 在所述底部抗反射层表面形成遮挡层; 在所述遮挡层表面涂覆光致抗蚀剂并图案化所述光致抗蚀剂以 定义沟槽开口; 用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述光致抗蚀剂和遮挡层,继而刻蚀光 致抗蚀剂和底部抗反射层,进而刻蚀所述遮挡层、底部抗反射层和层 间介电层,直至遮挡层被完全刻蚀掉,此时沟槽开口部分的底部抗反 射层和层间介电层已被刻蚀到层间介电层深度接近一半的高度; 用湿法腐蚀工艺或氧气等离子灰化工艺去除剩余的底部抗反射 层; 去除沟槽底部对应所述互连线位置的覆盖层; 然后向连接孔和沟槽中填充金属便形成了双镶嵌结构。
公开号  100561729C
公开日  2009-11-18
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司
代理人  逯长明
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200610029908  20060810 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN101123243A
 
引用文献
 
被引用文献
CN102201365ACN102270601ACN102299099A
CN104253038A