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一种具有置位和复位功能的能量恢复锁存器电路
无权-未缴年费

Energy recovery latch circuit with set and reset function

申请号:200610026460.7 申请日:2006-05-11
摘要:本发明属于低功耗集成电路设计技术领域,具体涉及一种具有置位和复位功能的能量恢复锁存器电路结构。该电路包括:一个由置位/复位信号控制功率时钟通/断的选通器件MN1、MN2、MP1、MP2;一对用于对差分输出节点进行充电的单向导通器件D1、D2;实现锁存功能时,一对通过输入信号及其互补信号D、Db控制预充电支路的PMOS管MP3、MP4;实现置位/复位功能时,一对通过置位/复位的互补信号Sb、Rb控制预充电支路的PMOS管MP5、MP6;一对进行逻辑运算的放电回路NMOS管MN3、MN4;一对进行置位、复位操作的NMOS管MN5、MN6;一对交叉耦合输出的NMOS管MN7、MN8。该锁存器可以在两相不交叠功率时钟(周期性变化的电源)的控制下以极低的功耗实现时序逻辑控制。
Abstract: The related energy-recovery latch circuit with set and reset function comprises: the gating devices MN1, MN2, MP1 and MP2 with power clock controlled by set/reset signal; a couple of unilateral conductive devices D1 and D2 to charge the differential output nodes; a couple of PMOS tubes MP3 and MP4 to control the pre-charge branch by input signal and its complementary signal D and Db for latch; a couple of PMOS tubes MP5 and MP6 to control the pre-charge branch by set/reset complementary signal Sb and Rb for set/reset; a couple of NMOS tubes MN3 and MN4 for logical operation, a couple of NMOS tubes MN5 and MN6 for set/reset, and a couple of NMOS tubes MN7 and MN8 for cross coupling output. This invention just needs very low power consumption for logic sequence control.
申请人: 复旦大学
Applicant: UNIV FUDAN[CN]
地址: 200433上海市********(隐藏)
发明(设计)人: 何艳 田佳音 廖友春 王俊宇 闵昊
Inventor: HE YAN TIAN[CN]
主分类号: H03K19/0944(2006.01)I
分类号: H03K19/0944(2006.01)I H03K19/00(2006.01)I
  • 法律状态
2013-07-03  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H03K 19/0944申请日:20060511授权公告日:20091014终止日期:20120511
2009-10-14  授权
2006-12-20  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种具有置位和复位功能的能量恢复锁存器电路,其特征在于包括: 一个由两组串联的PMOS管、NMOS管:MP1、MN1和MP2、MN2组成的传输门 结构,该结构由置位/复位信号S、R来控制功率时钟通/断,PMOS管MP1、MP2的栅极 分别接置位/复位信号S、R,MP1的源极与功率时钟相连,MP1的漏极与MP2的源极相 连,MP2的漏极接C节点;NMOS管MN1、MN2的栅极分别接置位/复位的互补信号Sb、 Rb,MN1的漏极与功率时钟相连,MN1的源极与MN2的漏极相连,MN2的源极接C节 点; 一对由触发器输入信号及其互补信号D、Db控制预充电支路的PMOS管MP3、MP4, 其栅极分别接锁存器差分互补的输入端D、Db,其漏极分别接单向导通器件D1、D2的正 极,其源极都接C节点; 一对由复位/置位的互补信号Rb、Sb控制预充电支路的PMOS管MP5、MP6,其栅 极分别接置位/复位的互补信号Sb、Rb,其漏极分别接单向导通器件D1、D2的正极,其 源极接功率时钟; 一对单向导通器件D1、D2,其正极分别接PMOS管MP3、MP4和MP5、MP6的漏 极,负极分别接差分输出端Qb、Q; 一对进行逻辑运算的NMOS管(MN3、MN4),其栅极分别接差分互补的输入端D、 Db,漏极接C节点,源极分别接A、B节点; 一对进行置位/复位操作的NMOS管MN5、MN6,其栅极分别接置位信号S和复位 信号R,漏极接功率时钟,源极分别接A、B节点; 一对交叉耦合输出的NMOS管MN7、MN8,其漏极分别接A、B节点,源极分别接 两个输出端Qb、Q,栅极交叉耦合接两个输出端Q、Qb; 以上所述的所有的NMOS管的衬底均接地,所有的PMOS管的衬底均与该管的源极 相连。
公开号  1845460A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  上海正旦专利代理有限公司
代理人  陆飞 盛志范
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200610026460  20060511 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
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  • 附加信息
同族专利
CN100550640C
 
引用文献
 
被引用文献
US9438211B1WO2017008515A1CN102361442A
CN102394596ACN104009752A