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氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
无权-未缴年费

Method for growth of zinc oxide monocrystal by falling aerated crucible method

申请号:200610025074.6 申请日:2006-03-24
摘要:本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法,属于单晶生长领域。特征是:将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合,装入贵金属坩埚内;将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内,在下降炉中加热熔化原料;待原料完全熔化后,通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚,待全部熔体凝固并冷却到室温后,可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于,坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核,从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单,操作方便,可一炉生长多个晶体,有利于实现晶体生长的工业化。
Abstract: This invention relates to the third decade semi-conducting material ZnO crystal aeration pot lowing growing method, which belongs to the single-crystal field. The character as follows: mixing the original material ZnO(4N) and assist flux up according to a certain mol proportion, and putting it in precious metal pot; arranging the pot in the arranged heat preservation earthenware with ventilated or water-ventilated system, heating and smelting material in the lowering furnace; after the material smelting completely, introducing gas or water and lowering pot by the rate of less than 2mm/h, when all the smelting materials freeze and cool to room temperature, the ZnO single crystal is obtained.
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Applicant: SHANGHAI INST CERAMICS[CN]
地址: 200050上海市********(隐藏)
发明(设计)人: 徐家跃 李新华 申慧 钱国兴 罗丽庆 武安华 林雅芳
Inventor: XU JIAYUE LI[CN]
主分类号: C30B11/00(2006.01)I
分类号: C30B11/00(2006.01)I C30B29/16(2006.01)I
  • 法律状态
2012-06-13  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20060324授权公告日:20080109终止日期:20110324
2008-01-09  授权
2006-12-06  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法,包括原料配比、合成与压块、诱 导成核、垂直温度梯度设计等内容,其特征在于: (1)将4N的ZnO和2N的PbF2助熔剂按12~50和88~50的摩尔百分比称 量配料并均匀混合; (2)将步骤(1)配比的混合料压块或者压成致密的圆片,然后放入贵金 属坩埚内,点焊密封坩埚; (3)坩埚置于具有通气或通水系统的保温陶瓷引下管内,然后放入下降炉 中,升温熔化原料,炉温控制在1100~1350℃,生长界面温度梯度约 为30~150℃/cm,坩埚底部通入气体或水形成局部急冷区,坩埚下降 速率为0.3~2mm/h。
公开号  1844488A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  上海智信专利代理有限公司
代理人  潘振甦
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200610025074  20060324 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
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