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一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路
无权-未缴年费

申请号:200610011812.1 申请日:2006-04-28
摘要:一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路属于快闪存储器设计,尤其涉及到低电源电压下快闪存储器中读取操作电路的设计。其特征在于,该电路中采用了双相位预充电路,由两个同步或异步信号控制的NMOS管组成两个预充路径,在对位线进行预充的同时,对限制预充电流的NMOS隔离管的栅端进行充电,使得隔离管能迅速达到最大导通状态,有利于对位线进行预充电,消除了预充电流的瓶颈,进而得到更快的预充速度。本发明还采用了自调节负载电路和两级箝位电路,实现了低电源电压下快闪存储器的快速读取,同时还提高了系统的噪声免疫能力。
申请人: 清华大学
地址: 100084北京市********(隐藏)
发明(设计)人: 杨光军 伍冬 潘立阳 朱钧
主分类号: G11C11/419(2006.01)I
分类号: G11C11/419(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-16  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/419申请日:20060428授权公告日:20081203终止日期:20160428
2008-12-03  授权
2006-12-06  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路,含有负载电路、预充电路、和箝位电路,其中 负载电路,含有一个PMOS管(MP1),其栅端连接所述预充电路,源端连接电源VDD, 漏端连接比较器的数据线; 预充电路,含有一个第一NMOS管(MN1),该第一NMOS管(MN1)的栅端连接预充 信号,漏端连接电源VDD,源端连接所述PMOS管(MP1)的漏端; 箝位电路,含有一个第一反相器(INV2)和第二NMOS管(MN3),所述第一反相器(INV2) 的输入端接位线,输出端连接第二NMOS管(MN3)的栅端;所述第二NMOS 管(MN3)的漏端连接所述PMOS管(MP1)的漏端,其源端连接位线; 其特征在于,所述预充电路是双相位预充电路,它还含有一个第三NMOS管 (MN2),该第三NMOS管(MN2)的栅端连接一个与所述第一NMOS管(MN1)的预 充信号同步或异步的另一个预充信号,其漏端连接电源VDD,其源端连接所述第二NMOS 管(MN3)的栅端。
公开号  1845253A
公开日  2006-10-11
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