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晶体等径生长的控制系统
无权-未缴年费

System for controlling the isodiametric growth of crystal

申请号:200520011105.3 申请日:2005-03-28
摘要:本实用新型涉及一种晶体等径生长的控制系统。该系统具有晶体生长炉、晶体直径检测部分和埚温控制部分;采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分;还有一个共用控制器;所述控制器分别接收来自所述晶体直径检测部分、所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号,所述控制器应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升速度控制部分对晶体拉升速度进行调整,以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温控制部分对熔体的温度进行调整。系统达到优良的控制品质,大大提高晶体等径生长阶段的直径控制精度,稳定提高大直径硅单晶棒一次拉制的成品率。
Abstract: The utility model relates to a control system for crystal isometric growth. The system is provided with a crystal growing furnace, a crystal diameter checking part, a furnace temperature control part, a crystal climbing speed control part that collects, reacts and controls real time climbing speed signals of the crystal and a shared controller, wherein the shared controller receives detection signals respectively coming from the crystal diameter checking part, the crystal climbing speed control part and the furnace temperature control part. Through the algorithm combined by fuzzy control and PID control, the shared controller figures out the crystal climbing speed regulatory signals and feeds the signals back to the crystal climbing speed control part to adjust the crystal climbing speed, and also figures out the heating power regulatory signals and feeds the signals back to the furnace temperature control part to adjust the fusant temperature. The system can obtain a good control quality, largely raises the diameter control accuracy of the crystal isometric growth phase, and steadily raises the once-pulled finished product rate of silicon monocrystal rods with large diameter.
申请人: 荀建华
Applicant: XUN JIANHUA[CN]
地址: 213223江苏省********(隐藏)
发明(设计)人: 荀建华
Inventor: XUN JIANHUA[CN]
主分类号: C30B15/22(2006.01)I
分类号: C30B15/22(2006.01)I
  • 法律状态
2010-08-04  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 15/22申请日:20050328授权公告日:20061011
2006-10-11  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种晶体等径生长的控制系统,具有 晶体生长炉; 检测炉内晶体生长过程中晶体直径变化信号的晶体直径检测部分; 采集炉内熔体温度信号及加热器的加热电压电流信号并反馈控制炉内熔体温度的埚 温控制部分; 采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分; 其特征在于: 还具有一个控制器(7);所述控制器(7)用于分别接收来自所述晶体直径检测部分、 所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号,所述控制器(7) 是应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升 速度控制部分对晶体拉升速度进行调整,以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温 控制部分对熔体的温度进行调整的控制器。
公开号  2825658Y
公开日  2006-10-11
专利代理机构  北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人  翁坚刚
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200520011105  20050328 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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  • 期刊对比文献
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  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
被引用文献
WO2010048790A1CN106245116ACN106527119A