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氧化锡空心纳米材料的制备方法
无权-未缴年费

申请号:200510129960.9 申请日:2005-12-16
摘要:氧化锡空心纳米材料的制备方法,涉及一种纳米材料的制备,尤其是涉及一种以氧化锌为牺牲模板制备氧化锡空心纳米材料的方法。提供一种制备各种形态的SnO2空心纳米材料的通用方法。步骤为制备ZnO纳米材料,制备SnH4前驱体,产生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用,生长SnO2外壳,即在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料,最后除去ZnO内核,即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材料。优点是ZnO纳米材料具有极其丰富的形态,SnO2空心材料外壁的结晶度良好,SnO2空心材料外壁的厚度可控。
申请人: 厦门大学
地址: 361005福建省厦门市思明南路422号
发明(设计)人: 匡勤 周樨 徐韬 林水潮 江智渊 谢兆雄 谢素原 黄荣彬 郑兰荪
主分类号: C01G19/02(2006.01)I
分类号: C01G19/02(2006.01)I
  • 法律状态
2011-03-09  未缴年费专利权终止IPC(主分类):C01G 19/02申请日:20051216授权公告日:20070815终止日期:20100118
2007-08-15  授权
2006-08-16  
2006-06-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、氧化锡空心纳米材料的制备方法,其特征在于其步骤如下: 1)ZnO模板的制备:通过化学气相沉积、离子液体或激光溅射方法制备ZnO纳米材料; 2)SnH4前驱体的制备:将SnCl4·5H2O水溶液滴加到KOH和KBH4混合水溶液中,产 生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用; 3)SnO2外壳的生长:将制备好的ZnO纳米材料分散在裁好的硅片衬底上,然后放置 在化学气相沉积装置的反应腔中作为SnO2生长的衬底,待反应腔抽真空后,将硅片衬底加 热到600~800℃,通入配制好的SnH4/N2混合气,沉积后停止供应SnH4/N2混合气并关闭 加热控制器的电源使硅片自然降温,最后关闭真空系统,即在硅片衬底上生长得到具有核- 壳结构的ZnO/SnO2复合材料; 4)ZnO内核的除去:沉积SnO2后所得的产物连同硅片衬底浸泡在盛有稀酸溶液的培 养皿中,再用清水清洗至pH呈中性后干燥,即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材 料。
公开号  1789140
公开日  2006-06-21
专利代理机构  厦门南强之路专利事务所
代理人  马应森 戴深峻
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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