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晶片散热系统及其散热装置结构与制造方法
无权-视为撤回

Wafer heat radiation system and its heat radiator structure and manufacturing method

申请号:200510064895.6 申请日:2005-04-07
摘要:本发明系揭露一种晶片散热系统及其散热装置结构与制造方法,该晶片散热系统系用于一晶片散热,其中包含一散热装置、一热交换装置、一泵浦装置以及至少两导管。该散热装置系用以接收该晶片的一废热,且该散热装置系由一导热材料所组成,又该导热材料系包含一金属材料及一架状结构的碳元素;该热交换装置系用以排放该废热;该导管系用以连接该散热装置及该热交换装置的至少两连接端;以及该泵浦装置系用以将一流体经由该导管于该散热装置及该热交换装置内循环流动。该架状结构的碳元素具高导热系数的特性以提高导热材料的导热效果,且该导热材料制造方法则可以化学气相沉积、物理气相沉积、熔融、或其他材料制备方法来完成且该架状结构的碳元素可以是包覆于该金属材料表面或直接掺杂于该金属材料之中。
Abstract: The disclosed wafer cooling system receives the waste heat of wafer and comprises a cooling device, a heat exchange device to the release waste heat, a pumping device to drive the fluid flowing in the cooling device and the exchange device, and at least two pipes for linkage. Wherein, the device is made of a heat-conducting material included metal material and backbone-structure carbon with high thermal conductive coefficient prepared by CVD, PVD, fusion or other method.
申请人: 神基科技股份有限公司
Applicant: MITAC TECHNOLOGY CORP[CN]
地址: 台湾省新竹科学工业********(隐藏)
发明(设计)人: 黄明汉 郑裕强 陈兆逸 郭欣陇 李秉蔚 萧惟中 李秉峰
Inventor: HUANG MINGHAN ZHENG[CN]
主分类号: H01L23/34(2006.01)I
分类号: H01L23/34(2006.01)I H01L23/36(2006.01)I H01L23/46(2006.01)I G06F1/20(2006.01)I
  • 法律状态
2008-07-09  发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06  
2006-10-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种晶片散热系统,适用于一晶片散热,该晶片散热系统包含: 一散热装置,系用以接收该晶片的一废热,该散热装置系由一导热材料所 组成,且该导热材料系包含一金属材料及一架状结构的碳元素; ?一热交换装置,系用以排放该废热; 至少两导管,系用以连接该散热装置及该热交换装置的至少两连接端;以 及 一泵浦装置,系用以将一流体经由该导管于该散热装置及该热交换装置内 循环流动。
公开号  1845311A
公开日  2006-10-11
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司
代理人  陈亮
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  200510064895  20050407 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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  • 期刊对比文献
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  • 附加信息
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